IQEH54NE2LM7UCGATMA1 vs IQEH50NE2LM7UCGSCATMA1 مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IQEH54NE2LM7UCGATMA1 بواسطة Infineon و IQEH50NE2LM7UCGSCATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
Infineon
IQEH54NE2LM7UCGATMA1 - 25V OptiMOS 7 N-Channel MOSFET | Infineon
IQEH54NE2LM7UCGATMA1 ✓ نشطمقارنة المواصفات
| المعامل | IQEH54NE2LM7UCGATMA1 | IQEH50NE2LM7UCGSCATMA1 |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Infineon | Infineon |
| الفئة | MOSFETs | MOSFETs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | OptiMOS 7 Power-Transistor | OptiMOS 7 Power-Transistor |
| Channel Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 25 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | 52 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 406 A | — |
| Power Dissipation at Ta | 2.5 W | — |
| Power Dissipation at Tc | 150 W | — |
| العلبة | PG-TTFN-9-3 | PG-WHTFN-9-1 (surface mount) |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] | — |
| On-Resistance (RDS(on)) at 10V VGS | [DATA_NEEDED: RDS(on) max in mohm at VGS=10V] | — |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: Qg typical in nC] | — |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | -55C to +150C (typical MOSFET range) | — |
| حالة RoHS | Compliant | — |
| مستوى MSL | [DATA_NEEDED: MSL rating] | — |
| نوع الترانزستور | — | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) Max | — | 25 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TA | — | 54 A |
| Continuous Drain Current (ID) at TC | — | 422 A |
| RDS(on) Max | — | 0.5 mΩ |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) typ | — | 2 V |
| Power Dissipation (PD) at TA | — | 2.5 W |
| Power Dissipation (PD) at TC | — | 150 W |
| Maximum Junction Temperature | — | 175 °C |
| Series | — | OptiMOS 7 |
| Technology | — | Silicon N-Channel Power MOSFET |