IR2114SSPBF vs IR21834STRPBF مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IR2114SSPBF بواسطة Infineon و IR21834STRPBF بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل IR2114SSPBF IR21834STRPBF
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
حالة دورة الحياة نشط نشط
Configuration Half-bridge gate driver Half-Bridge
عدد المخارج 2 (high-side + low-side) 2 (High Side / Low Side)
البنية الطوبولوجية Non-inverting —
Offset (high-side) Voltage (max) 600 V —
Gate Drive Supply (VCC) 10 V to 20 V —
Logic Supply (VDD) 10 V to 20 V —
Bootstrap Supply (VBS) 10 V to 25 V (with respect to VS) —
Source Current (typ.) 2 A —
Sink Current (typ.) 3 A —
Rise / Fall Time (typ.) [DATA_NEEDED: rise/fall time] —
Propagation Delay (typ.) 50 ns —
Input Logic Compatibility 3.3 V / 5 V CMOS/LSTTL —
UVLO Thresholds VCC and VBS, internally set —
Integrated Bootstrap Diode Yes —
Over-Current Shutdown Yes (programmable, with FAULT output) —
درجة حرارة التشغيل -40 C to +125 C -40 C to +125 C
العلبة 24-SSOP (7.80 mm wide, 1.75 mm height) 14-SOIC (3.90 mm width)
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
حالة RoHS Compliant Compliant
Input Type — Inverting, Non-Inverting
Number of Drivers — 2
Peak Source Current — 1.9 A
Peak Sink Current — 2.3 A
Supply Voltage (VCC) — 10 V to 20 V
Maximum Floating Supply Voltage — 600 V
Propagation Delay — 180 ns (typical)
Logic Input Compatibility — 3.3 V and 5 V
Undervoltage Lockout — Yes (both channels)
dV/dt Immunity — Yes
Negative Transient Tolerance — Yes
Packaging — Tape & Reel

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر