IR2153PBF vs IRS2153DPBF مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IR2153PBF بواسطة Infineon و IRS2153DPBF بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل IR2153PBF IRS2153DPBF
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
حالة دورة الحياة نشط NRND
Product Type Half-Bridge Gate Driver IC Half-Bridge Gate Driver IC
البنية الطوبولوجية Self-oscillating half-bridge with integrated RC oscillator Self-Oscillating (RC-timed)
Number of Drivers 2 (high-side and low-side) —
High-Side Voltage Rating 600 V —
VCC Supply Voltage 10 V to 15.6 V (zener clamped) [DATA_NEEDED: VCC range]
VCC Zener Clamp 15.6 V —
Quiescent Current (Micropower Startup) 500 uA —
Rise Time (typ.) 45 ns —
Fall Time (typ.) 80 ns —
Undervoltage Lockout Increased threshold (per datasheet) —
Shutdown Feature Yes (1/6 VCC on CT pin) —
Deadtime Control Internal, tighter initial tolerance, low temperature coefficient —
درجة حرارة التشغيل -40C to +125C —
العلبة 8-PDIP (0.300 inch, 7.62 mm) 8-Pin PDIP (through-hole)
نوع التركيب Through-Hole —
حالة RoHS Pb-Free, RoHS compliant Compliant (Pb-free suffix)
Driver Configuration — Half-Bridge (High-Side + Low-Side)
عدد المخارج — 2 (High-Side, Low-Side)
Offset Voltage (High-Side) — 600 V (max)
Output Current (Source, typ) — 0.18 A
Output Current (Sink, typ) — 0.26 A
Internal Oscillator Frequency — [DATA_NEEDED: oscillator frequency range]
Dead Time (typ) — 0.5 us
Half-Bridge Driver Propagation (typ) — 1.1 us
Bootstrap FET — Integrated
Supply Current (VCC, typ) — 0.5 mA
Shutdown Input — Yes (programmable)
درجة حرارة الوصلة التشغيلية — -40C to +125C
مستوى MSL — MSL2 / MSL3 (per Infineon datasheet family note)
Qualification Level — Industrial

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر