IR2304SPBF vs IRS2005MTRPBF مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IR2304SPBF بواسطة Infineon و IRS2005MTRPBF بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل IR2304SPBF IRS2005MTRPBF
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
حالة دورة الحياة نشط نشط
Product Type Half-Bridge Gate Driver IC —
Configuration High and Low Side, Independent Channels —
عدد المخارج 2 —
Maximum Offset (Bootstrap) Voltage 600 V —
Gate Drive Supply Voltage (VCC) 10 V to 20 V —
Output Source/Sink Current 60 mA / 130 mA —
Propagation Delay (Typical) 220 ns —
Input Logic Compatibility 3.3 V, 5 V, 15 V —
Undervoltage Lockout (UVLO) Both High-Side and Low-Side Channels —
Negative Transient Voltage Tolerance Yes (dV/dt immune) —
Logic Input Polarity Non-Inverting —
العلبة 8-Pin SOIC (SO-8 N) —
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
نطاق درجة حرارة التشغيل -40 C to +125 C —
Technology HVIC + Latch-Immune CMOS, Monolithic —
حالة RoHS Compliant (Pb-free) Compliant
Driver Configuration — Half-Bridge (High-Side + Low-Side)
Number of Drivers — 2
Maximum Offset Voltage — 200 V
Input Logic — Non-Inverting
Source Current (Typical) — 0.29 A
Sink Current (Typical) — 0.6 A
Supply Voltage VCC — [DATA_NEEDED: VCC range]
VCC UVLO Threshold — Yes (per datasheet)
VBS UVLO Threshold — Yes (per datasheet)
Bootstrap Driver — Internal (integrated bootstrap diode)
Propagation Delay — [DATA_NEEDED: t_on/t_off]
Package Type — 14-MLPQ (4x4 mm) with Exposed Pad
درجة حرارة التشغيل — -40C to +125C (per datasheet)
مستوى MSL — 2

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر