IRS2008STRPBF vs IR2127STRPBF مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IRS2008STRPBF بواسطة Infineon و IR2127STRPBF بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل IRS2008STRPBF IR2127STRPBF
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
حالة دورة الحياة نشط نشط
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Number IRS2008STRPBF —
الوظيفة Half-Bridge Gate Driver —
Driven Configuration Half-Bridge (High-Side + Low-Side, synchronous) —
Channel Type Synchronous (independent inputs) —
عدد المخارج 2 (high-side + low-side) 1
نوع الخرج Non-Inverting —
Logic Input Compatibility TTL/CMOS —
Input Voltage (VCC) 10 V to 20 V (per datasheet family) —
Maximum Offset Voltage (Voffset) 200 V —
Source Current (typ.) 0.29 A —
Sink Current (typ.) 0.6 A —
Rise Time (typ.) [DATA_NEEDED: rise time ns] —
Fall Time (typ.) [DATA_NEEDED: fall time ns] —
Propagation Delay (typ.) [DATA_NEEDED: propagation delay ns] —
VCC UVLO Threshold Yes (per datasheet family) —
VBS UVLO Threshold Yes (per datasheet family) —
Shutdown Pin (SD) Yes (active logic-level shutdown) —
درجة حرارة التشغيل -40 C to +125 C (industrial) —
العلبة 8-SOIC (SOIC N), 3.90 mm body width 8-SOIC (3.90 mm body)
نوع التركيب Surface Mount (Tape & Reel) Surface Mount
Lead Finish Matte Tin (lead-free) —
حالة RoHS Compliant —
مستوى MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] MSL3 (per JEDEC J-STD-020)
Configuration — High-Side
Supply Voltage Range — 12 V to 20 V
Output Voltage (Offset) — up to 600 V
Peak Source Current — 250 mA
Peak Sink Current — 500 mA
Propagation Delay — 200 ns (typical)
Input Logic — Non-Inverting
زمن الصعود — 80 ns (typical)
زمن السقوط — 60 ns (typical)
نطاق درجة حرارة التشغيل — -40C to +125C
Lead-Free / RoHS — Pb-free (PBF), RoHS compliant
dV/dt Immunity — Yes (high-side floating channel)
Integrated Current Sense — Yes (cycle-by-cycle comparator)

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر