IRS2011STRPBF vs IRS2181STRPBF مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IRS2011STRPBF بواسطة Infineon و IRS2181STRPBF بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل IRS2011STRPBF IRS2181STRPBF
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
حالة دورة الحياة نشط نشط
الوظيفة Half-Bridge Gate Driver Half-Bridge Gate Driver
Configuration High-Side and Low-Side, Independent Channels High-side and low-side referenced, non-inverting
عدد المخارج 2 2 (HO, LO)
Maximum Offset Voltage (High-Side) 200 V —
Output Current (Source / Sink) 1 A typical / 1 A typical —
Propagation Delay (ton/toff) 60 ns typical —
Delay Matching 20 ns maximum —
Logic Input Compatibility 3.3 V CMOS / LSTTL 3.3 V and 5 V logic
Bootstrap Supply Integrated bootstrap diode, floating channel —
Supply Voltage (VCC) 10 V to 20 V —
Negative Transient Tolerance Yes, dV/dt immune —
العلبة 8-SOIC (DSO-8) 8-pin SOIC (SO-8, 0.154" / 3.90 mm body width)
درجة حرارة التشغيل -40 C to +125 C —
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
حالة RoHS Compliant (PBF suffix) —
Suitable Drivers MOSFETs and IGBTs —
Offset Voltage (max) — 600 V
VCC Supply Voltage — 10 V to 20 V
VBS Bootstrap Supply Voltage — 10 V to 20 V (referenced to VS)
Output Source Current (typ) — 1.9 A
Output Sink Current (typ) — 2.3 A
Rise / Fall Time (typ) — [DATA_NEEDED: typical rise/fall time with 1000 pF load]
Propagation Delay (typ) — [DATA_NEEDED: t_on / t_off matching]
Under-Voltage Lockout (UVLO) — Present on VCC and VBS
Shutdown Pin (SD) — Yes, active-low compatible input stage
نطاق درجة حرارة التشغيل — -40 C to +125 C (junction)
Lead Finish — Pb-free (PBF suffix)
مستوى MSL — MSL 2 / 3 (per JEDEC J-STD-020, [DATA_NEEDED: exact MSL floor-life])
RoHS Compliance — Compliant (Pb-free)

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر