IRS2101STRPBF vs IRS2004STRPBF مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IRS2101STRPBF بواسطة Infineon و IRS2004STRPBF بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل IRS2101STRPBF IRS2004STRPBF
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
حالة دورة الحياة نشط نشط
Driver Type High-Side, Low-Side (Half-Bridge) —
Number of Drivers 2 —
عدد المخارج 2-OUT —
تكوين الخرج Non-Inverting —
Maximum Offset Voltage 600 V —
Gate Drive Supply (VCC) 10 V to 20 V 10 V to 20 V
Bootstrap Supply (VBS) 10 V to 20 V —
Source Current (typical) 0.29 A —
Sink Current (typical) 0.6 A —
Logic Input Compatibility 3.3 V / 5 V / 15 V 3.3 V / 5 V CMOS/LSTTL
VS Transient Range -5 V to +600 V (logic operational) —
Undervoltage Lockout Yes (VCC and VBS) Yes (both channels)
Propagation Delay Matching Matched both channels —
dV/dt Immunity Yes (latch-immune CMOS) —
درجة حرارة التشغيل -40C to +125C —
العلبة 8-SOIC (SOIC-8) SOIC-8
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
Packaging Tape & Reel (TRPBF) —
Technology HVIC + latch-immune CMOS —
حالة RoHS Compliant (PBF suffix) Compliant (Pb-free PBF suffix)
البنية الطوبولوجية — Half-Bridge Gate Driver
Driver Channels — 1 high-side + 1 low-side (dependent)
Offset Voltage (Voffset max) — 200 V
Output Source Current (typ) — 0.29 A
Output Sink Current (typ) — 0.6 A
Logic Supply (VDD) — 3.3 V to 20 V (logic compatible)
Propagation Delay (typ) — [DATA_NEEDED: propagation delay]
Rise/Fall Time (typ) — [DATA_NEEDED: rise/fall time]
Shutdown Input — Yes (active)
Bootstrap Operation — Yes (external diode required)
نطاق درجة حرارة التشغيل — -40 C to +125 C
مستوى MSL — MSL2

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر