IRS2101STRPBF vs IRS2104STRPBF مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IRS2101STRPBF بواسطة Infineon و IRS2104STRPBF بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل IRS2101STRPBF IRS2104STRPBF
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
حالة دورة الحياة نشط نشط
Driver Type High-Side, Low-Side (Half-Bridge) —
Number of Drivers 2 —
عدد المخارج 2-OUT —
تكوين الخرج Non-Inverting —
Maximum Offset Voltage 600 V —
Gate Drive Supply (VCC) 10 V to 20 V —
Bootstrap Supply (VBS) 10 V to 20 V —
Source Current (typical) 0.29 A —
Sink Current (typical) 0.6 A —
Logic Input Compatibility 3.3 V / 5 V / 15 V Standard CMOS / LSTTL
VS Transient Range -5 V to +600 V (logic operational) —
Undervoltage Lockout Yes (VCC and VBS) —
Propagation Delay Matching Matched both channels —
dV/dt Immunity Yes (latch-immune CMOS) —
درجة حرارة التشغيل -40C to +125C —
العلبة 8-SOIC (SOIC-8) 8-Lead SOIC (SOIC-8)
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
Packaging Tape & Reel (TRPBF) —
Technology HVIC + latch-immune CMOS —
حالة RoHS Compliant (PBF suffix) Compliant (PbF suffix)
Product Type — Half-Bridge Gate Driver IC
البنية الطوبولوجية — Half-Bridge (High-Side + Low-Side)
Number of Channels — 2 (HS + LS, dependent)
High-Side Offset Voltage (VS) — -5 V to +600 V
Logic Supply Voltage (VCC) — 10 V to 20 V
Source Current (typ.) — 0.29 A
Sink Current (typ.) — 0.6 A
Propagation Delay (typ.) — 150 ns
Rise Time (typ.) — 35 ns
Fall Time (typ.) — 70 ns
Quiescent Current (typ.) — 150 uA
Undervoltage Protection — Yes (VCC and VBS UVLO)
Shutdown Pin — Yes (SD, active-low per typical usage)
درجة حرارة الوصلة التشغيلية — -40C to +150C
مستوى MSL — 2 (1 year floor life per datasheet)
Qualification Level — Industrial

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر