IRS2104STRPBF vs IRS2004STRPBF مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IRS2104STRPBF بواسطة Infineon و IRS2004STRPBF بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل IRS2104STRPBF IRS2004STRPBF
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
حالة دورة الحياة نشط نشط
Product Type Half-Bridge Gate Driver IC —
البنية الطوبولوجية Half-Bridge (High-Side + Low-Side) Half-Bridge Gate Driver
Number of Channels 2 (HS + LS, dependent) —
High-Side Offset Voltage (VS) -5 V to +600 V —
Logic Supply Voltage (VCC) 10 V to 20 V —
Source Current (typ.) 0.29 A —
Sink Current (typ.) 0.6 A —
Propagation Delay (typ.) 150 ns —
Rise Time (typ.) 35 ns —
Fall Time (typ.) 70 ns —
Quiescent Current (typ.) 150 uA —
Undervoltage Protection Yes (VCC and VBS UVLO) —
Shutdown Pin Yes (SD, active-low per typical usage) —
Logic Input Compatibility Standard CMOS / LSTTL 3.3 V / 5 V CMOS/LSTTL
درجة حرارة الوصلة التشغيلية -40C to +150C —
العلبة 8-Lead SOIC (SOIC-8) SOIC-8
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
مستوى MSL 2 (1 year floor life per datasheet) MSL2
Qualification Level Industrial —
حالة RoHS Compliant (PbF suffix) Compliant (Pb-free PBF suffix)
Driver Channels — 1 high-side + 1 low-side (dependent)
Offset Voltage (Voffset max) — 200 V
Output Source Current (typ) — 0.29 A
Output Sink Current (typ) — 0.6 A
Gate Drive Supply (VCC) — 10 V to 20 V
Logic Supply (VDD) — 3.3 V to 20 V (logic compatible)
Propagation Delay (typ) — [DATA_NEEDED: propagation delay]
Rise/Fall Time (typ) — [DATA_NEEDED: rise/fall time]
Shutdown Input — Yes (active)
Undervoltage Lockout — Yes (both channels)
Bootstrap Operation — Yes (external diode required)
نطاق درجة حرارة التشغيل — -40 C to +125 C

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر