IRS2104STRPBF vs IRS2101STRPBF مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IRS2104STRPBF بواسطة Infineon و IRS2101STRPBF بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل IRS2104STRPBF IRS2101STRPBF
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
حالة دورة الحياة نشط نشط
Product Type Half-Bridge Gate Driver IC —
البنية الطوبولوجية Half-Bridge (High-Side + Low-Side) —
Number of Channels 2 (HS + LS, dependent) —
High-Side Offset Voltage (VS) -5 V to +600 V —
Logic Supply Voltage (VCC) 10 V to 20 V —
Source Current (typ.) 0.29 A —
Sink Current (typ.) 0.6 A —
Propagation Delay (typ.) 150 ns —
Rise Time (typ.) 35 ns —
Fall Time (typ.) 70 ns —
Quiescent Current (typ.) 150 uA —
Undervoltage Protection Yes (VCC and VBS UVLO) —
Shutdown Pin Yes (SD, active-low per typical usage) —
Logic Input Compatibility Standard CMOS / LSTTL 3.3 V / 5 V / 15 V
درجة حرارة الوصلة التشغيلية -40C to +150C —
العلبة 8-Lead SOIC (SOIC-8) 8-SOIC (SOIC-8)
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
مستوى MSL 2 (1 year floor life per datasheet) —
Qualification Level Industrial —
حالة RoHS Compliant (PbF suffix) Compliant (PBF suffix)
Driver Type — High-Side, Low-Side (Half-Bridge)
Number of Drivers — 2
عدد المخارج — 2-OUT
تكوين الخرج — Non-Inverting
Maximum Offset Voltage — 600 V
Gate Drive Supply (VCC) — 10 V to 20 V
Bootstrap Supply (VBS) — 10 V to 20 V
Source Current (typical) — 0.29 A
Sink Current (typical) — 0.6 A
VS Transient Range — -5 V to +600 V (logic operational)
Undervoltage Lockout — Yes (VCC and VBS)
Propagation Delay Matching — Matched both channels
dV/dt Immunity — Yes (latch-immune CMOS)
درجة حرارة التشغيل — -40C to +125C
Packaging — Tape & Reel (TRPBF)
Technology — HVIC + latch-immune CMOS

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر