IRS2110STRPBF vs IRS21867STRPBF مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IRS2110STRPBF بواسطة Infineon و IRS21867STRPBF بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل IRS2110STRPBF IRS21867STRPBF
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
حالة دورة الحياة نشط نشط
Driver Configuration Half-Bridge —
Number of Drivers 2 (High-Side and Low-Side) —
عدد المخارج 2 —
نوع الخرج Non-Inverting —
Maximum Offset Voltage 500 V —
Gate Drive Supply (VCC) 10 V to 20 V —
Source/Sink Output Current (typ.) 2.5 A / 2.5 A —
Propagation Delay ton/toff (typ.) 30 ns / 30 ns —
Rise/Fall Time (typ.) 17 ns / 25 ns —
Logic Input Compatibility CMOS/TTL compatible (3.3 V logic compatible) —
Bootstrap Diode Integrated —
Shutdown Input Active-low, forces both outputs low —
Undervoltage Lockout Yes (VCC and VBS) Yes (VCC and VBS)
درجة حرارة التشغيل -40 C to +150 C —
العلبة 16-pin SOIC Wide-Body (SOIC-WB), Tape and Reel 8-SOIC (SOIC-8, 8-pin SOIC N T/R)
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
مستوى MSL 3 (168 hours) 2
Lead-Free / RoHS Lead-Free, RoHS Compliant —
البنية الطوبولوجية — High-Side and Low-Side (Half-Bridge)
Offset Voltage (High-Side, max) — 600 V
Output Current (Source/Sink, typical) — 4 A / 4 A
Supply Voltage VCC — 10 V to 20 V
Bootstrap Supply VBS — up to VCC + 600 V (floating)
Input Logic Compatibility — 3.3 V and 5 V CMOS / TTL
Rise Time (typ, 1 nF load) — 22 ns
Fall Time (typ, 1 nF load) — 18 ns
Turn-On Propagation Delay (typ) — 170 ns
Turn-Off Propagation Delay (typ) — 170 ns
Operating Temperature Range (TJ) — -40C to +150C
حالة RoHS — Compliant
Lead-Free Status — Lead Free
Channel Count — 2 (1 high-side + 1 low-side)
Input Type — Non-Inverting (HIN, LIN)

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر