IRS2153DSTRPBF vs IRS2302STRPBF مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IRS2153DSTRPBF بواسطة Infineon و IRS2302STRPBF بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل IRS2153DSTRPBF IRS2302STRPBF
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
حالة دورة الحياة نشط نشط
البنية الطوبولوجية Half-Bridge Gate Driver with internal oscillator —
High-Side Floating Supply Absolute Max 600 V —
VDD Supply Voltage Range 10 V to 20 V —
Output Source Current (typ.) 0.18 A —
Output Sink Current (typ.) 0.26 A —
Internal Propagation Delay (typ.) 1.1 us —
Integrated Bootstrap FET Yes —
Oscillator Type RC-based, similar to CMOS 555 timer —
Programmable Shutdown Pin Yes —
العلبة 8-pin SOIC 8-SOIC (3.90 mm body)
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
نطاق درجة حرارة التشغيل -40C to +125C —
Technology HVIC + latch-immune CMOS —
حالة RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Driver Configuration — Half-Bridge (High and Low Side, Independent)
Number of Drivers — 2
Supply Voltage (VCC) — 5 V to 20 V
Offset Voltage (High-Side) — Up to +600 V
Source Current (typ.) — 0.2 A
Sink Current (typ.) — 0.35 A
زمن الصعود — 130 ns (typ.)
زمن السقوط — 50 ns (typ.)
Propagation Delay — 220 ns (typ.)
Turn-On Delay — [DATA_NEEDED: exact turn-on delay]
Turn-Off Delay — [DATA_NEEDED: exact turn-off delay]
Logic Input Compatibility — 3.3 V, 5 V, 15 V
Input Type — Non-Inverting
Shutdown Pin — Yes
UVLO — Yes (VCC and VBS)
Cross-Conduction Protection — Yes (built-in dead time)
درجة حرارة التشغيل — -40C to +125C
مستوى MSL — 2 (per JEDEC J-STD-020)
خالٍ من الهالوجين — Yes

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر