IRS2181STRPBF vs 2ED2106S06FXUMA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IRS2181STRPBF بواسطة Infineon و 2ED2106S06FXUMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل IRS2181STRPBF 2ED2106S06FXUMA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
حالة دورة الحياة نشط نشط
الوظيفة Half-Bridge Gate Driver —
Configuration High-side and low-side referenced, non-inverting High-Side and Low-Side (Half-Bridge)
عدد المخارج 2 (HO, LO) 2 (1 high-side, 1 low-side)
Offset Voltage (max) 600 V —
VCC Supply Voltage 10 V to 20 V —
VBS Bootstrap Supply Voltage 10 V to 20 V (referenced to VS) —
Output Source Current (typ) 1.9 A —
Output Sink Current (typ) 2.3 A —
Rise / Fall Time (typ) [DATA_NEEDED: typical rise/fall time with 1000 pF load] —
Propagation Delay (typ) [DATA_NEEDED: t_on / t_off matching] —
Logic Input Compatibility 3.3 V and 5 V logic —
Under-Voltage Lockout (UVLO) Present on VCC and VBS —
Shutdown Pin (SD) Yes, active-low compatible input stage —
نطاق درجة حرارة التشغيل -40 C to +125 C (junction) -40C to +125C
العلبة 8-pin SOIC (SO-8, 0.154" / 3.90 mm body width) PG-DSO-8-69 (DSO-8)
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
Lead Finish Pb-free (PBF suffix) —
مستوى MSL MSL 2 / 3 (per JEDEC J-STD-020, [DATA_NEEDED: exact MSL floor-life]) —
RoHS Compliance Compliant (Pb-free) —
Offset Voltage (Voffset max) — 650 V
Source Current (typ.) — 0.29 A
Sink Current (typ.) — 0.7 A
Input Logic Compatibility — CMOS, TTL
Propagation Delay (typ.) — 100 ns
Number of Drivers — 2
عدد الدبابيس — 8
Bootstrap Diode — Integrated
Packaging — Tape & Reel
نوع الخرج — Half-Bridge, Non-Inverting

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر