IRS21834STRPBF vs 2ED2106S06FXUMA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IRS21834STRPBF بواسطة Infineon و 2ED2106S06FXUMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل IRS21834STRPBF 2ED2106S06FXUMA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
حالة دورة الحياة نشط نشط
Configuration Half-Bridge High-Side and Low-Side (Half-Bridge)
Number of Drivers 2 (high-side + low-side) 2
Input Logic Inverting, Non-Inverting with Shutdown —
Maximum Offset Voltage (High-Side) 600 V —
Gate Drive Supply (VCC, VBS) 10 V to 20 V —
Source Current (typ.) 1.9 A 0.29 A
Sink Current (typ.) 2.3 A 0.7 A
Propagation Delay (typ.) 200 ns 100 ns
Delay Matching (max) ±50 ns —
Undervoltage Lockout (VCC, VBS) Yes —
Negative Transient Voltage Tolerance dV/dt immune —
نطاق درجة حرارة التشغيل -40C to +125C -40C to +125C
العلبة 14-SOIC (SOIC-14) PG-DSO-8-69 (DSO-8)
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
مستوى MSL 1 (unlimited) —
حالة RoHS Compliant —
Lead-Free Yes —
Offset Voltage (Voffset max) — 650 V
Input Logic Compatibility — CMOS, TTL
عدد المخارج — 2 (1 high-side, 1 low-side)
عدد الدبابيس — 8
Bootstrap Diode — Integrated
Packaging — Tape & Reel
نوع الخرج — Half-Bridge, Non-Inverting

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر