IRS2184SPBF vs 2ED21834S06JXUMA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IRS2184SPBF بواسطة Infineon و 2ED21834S06JXUMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل IRS2184SPBF 2ED21834S06JXUMA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
حالة دورة الحياة نشط نشط
Product Type Half-Bridge Gate Driver IC Half-Bridge Gate Driver IC
Configuration High-side and Low-side referenced outputs, dependent channels Half-bridge (high-side + low-side)
عدد المخارج 2 —
Output Polarity Non-Inverting —
Offset Voltage (High-Side) 600 V maximum —
Peak Source Current 1.9 A typical —
Peak Sink Current 2.3 A typical —
Logic Supply Voltage (VCC) 10 V to 20 V —
Logic Input Compatibility 3.3 V and 5 V CMOS / LSTTL —
Bootstrap Supply (VBS) 10 V to 20 V (UVLO protected) —
Propagation Delay (typ.) [DATA_NEEDED: propagation delay matched both channels] —
نطاق درجة حرارة التشغيل -40C to +125C -40 °C to +125 °C
العلبة 8-SOIC (SOIC-8) PG-DSO-14-49 (DSO-14)
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
مستوى MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] —
حالة RoHS Compliant (PbF suffix indicates lead-free) Compliant
Technology Proprietary HVIC and latch-immune CMOS SOI (Silicon-On-Insulator) high-voltage
Maximum Offset Voltage (VBS) — 650 V
Typical Sink Current — 2.5 A
Typical Source Current — 2.5 A
Input Logic — Non-Inverting
Integrated Bootstrap Diode — Yes
Under-Voltage Lockout (UVLO) — Yes (VCC and VBS)
عدد الدبابيس — 14
Standard Reel Quantity — 3000

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر