ISC015N06NM5LF2ATMA1 vs ISC028N03LF2SATMA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ ISC015N06NM5LF2ATMA1 بواسطة Infineon و ISC028N03LF2SATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل ISC015N06NM5LF2ATMA1 ISC028N03LF2SATMA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
Technology OptiMOS 5 Linear FET 2 (N-Channel) —
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V —
Continuous Drain Current (ID) at Ta 32 A —
Pulsed Drain Current (IDM) at Tc 275 A —
Power Dissipation (PD) at Ta 3 W —
Power Dissipation (PD) at Tc 217 W —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 1.55 mΩ 2.8 mOhm
On-Resistance RDS(on) at VGS=10V (typ) 1.3 mΩ —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 3 V —
Gate-Source Voltage Rating ±20 V —
Reverse Recovery Charge (Qrr) 1.3 nC —
Input Capacitance (Ciss) 6.9 nF —
Output Capacitance (Coss) 1.3 nF —
Reverse Transfer Capacitance (Crss) 55 pF —
Total Gate Charge (Qg) 90 nC —
درجة حرارة الوصلة التشغيلية -55 °C to +175 °C -55 C to +175 C
العلبة PG-TDSON-8 FL (5x6 mm) PG-TDSON-8-62 (5x6 mm) with exposed pad
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
RoHS Compliant —
Manufacturer — Infineon Technologies
Product Family — OptiMOS 5 30V
Polarity / Channel Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) max — 30 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C — 24 A
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 128 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ — 2.35 V
Power Dissipation at TA — 3 W
Power Dissipation at TC — 83 W
RoHS / Lead-Free — Yes (RoHS compliant)
مستوى MSL — 1 (per JEDEC J-STD-020)

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر