ISC060N10NM6ATMA1 vs ISC0805NLSATMA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ ISC060N10NM6ATMA1 بواسطة Infineon و ISC0805NLSATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل ISC060N10NM6ATMA1 ISC0805NLSATMA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS 6 100 V —
نوع الترانزستور N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V 100 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta 15 A —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 97 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) 6 mΩ at VGS = 10 V, ID = 25 A —
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) 3.3 V (typical) —
Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: total gate charge] —
Power Dissipation (PD) at Ta 3 W —
Power Dissipation (PD) at Tc 125 W —
نطاق درجة حرارة التشغيل -55 °C to +175 °C (TJ) -55 °C to +150 °C
العلبة PG-TDSON-8 FL (5.15 x 6.15 mm) PG-TDSON-8-46 (SuperSO8 5x6)
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
Technology OptiMOS 6 (thin-wafer trench) —
Polarity N-Channel —
حالة RoHS Compliant Compliant
مستوى MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) —
Product Family — OptiMOS™ 5
Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C — 13 A
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C — 71 A
Power Dissipation (PD) at TA — 2.5 W
Power Dissipation (PD) at TC — 74 W
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 10.7 mΩ at 4.5V VGS; [DATA_NEEDED: RDS(on) max at 10V]
On-Resistance RDS(on) max at VGS=4.5V — 10.7 mΩ
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ — 2.3 V
Gate Charge Qg typ at VGS=4.5V — 16 nC
Input Capacitance Ciss — 2.2 nF
Reverse Transfer Capacitance Crss — 23 pF
Output Capacitance Coss — 360 pF

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر