ISZ230N10NM6ATMA1 vs BSC014NE2LSIATMA1 مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ ISZ230N10NM6ATMA1 بواسطة Infineon و BSC014NE2LSIATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | ISZ230N10NM6ATMA1 | BSC014NE2LSIATMA1 |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Infineon | Infineon |
| الفئة | MOSFETs | MOSFETs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| Polarity / Channel Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 100 V | 25 V |
| Continuous Drain Current (Ta) | 7.7 A | — |
| Continuous Drain Current (Tc) | 31 A | — |
| Power Dissipation (Ta) | 3 W | 2.5 W |
| Power Dissipation (Tc) | 48 W | 74 W |
| On-Resistance RDS(on) at VGS=10V | 23 mΩ (typ, ID=10A) | — |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) | 3.3 V (typ at 13 µA) | — |
| Technology | OptiMOS 6 trench MOSFET | N-Channel MOSFET (OptiMOS 25V) |
| العلبة | PG-TSDSON-8 FL (3.3 x 3.3 mm) | PG-TDSON-8-7 (SuperSO8) |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | -55 °C to +150 °C (junction) | — |
| Gate Drive Voltage (recommended) | 10 V | — |
| مستوى MSL | MSL1 (per JEDEC J-STD-020) | 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| حالة RoHS | Compliant | Compliant |
| Family | OptiMOS 6 (100V class) | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) | — | ±20 V |
| Continuous Drain Current (ID, Ta) | — | 33 A |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | — | [DATA_NEEDED: Tc condition rating] |
| Pulsed Drain Current (IDM, Tc) | — | 100 A |
| On-State Resistance RDS(on) | — | 1.4 mOhm (typ) at VGS = 10 V |
| Total Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: Qg typ at VGS=10V] |
| درجة حرارة الوصلة التشغيلية | — | -55 °C to +150 °C |
| Lead-Free | — | Yes |