K4A8G085WB-BCRC vs K4A8G085WC-BCRC مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ K4A8G085WB-BCRC بواسطة Samsung Electronics و K4A8G085WC-BCRC بواسطة Samsung Electronics. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | K4A8G085WB-BCRC | K4A8G085WC-BCRC |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| الفئة | Memory ICs | DRAM |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| نوع الذاكرة | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb | 8 Gbit |
| التنظيم | 1G x 8 | 1G x 8 |
| معدل البيانات | 2400 Mbps | 2400 Mbps (DDR4-2400) |
| جهد التغذية | 1.2 V | 1.2 V |
| درجة حرارة التشغيل | 0°C to 85°C | 0C to +95C |
| العلبة | 78-ball FBGA | 78-ball FBGA (TFBGA) |
| Number of Terminals | 78 | — |
| Refresh Cycles | 8192 | — |
| Access Time | 0.175 ns | — |
| Technology | CMOS | — |
| Burst Length | 8 and 4 | — |
| On-Die Termination | Yes | — |
| Auto-Refresh | Yes | — |
| Self-Refresh | Yes | — |
| RoHS | Compliant | — |
| Terminal Pitch | — | 0.8 mm |
| نوع التركيب | — | Surface Mount |
| Auto Precharge | — | Yes |
| Asynchronous Reset | — | Yes |
| CRC Function | — | Yes |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| Dynamic On-Die Termination | — | Yes |
| Data Mask Function | — | Yes |
| حالة RoHS | — | Compliant |
| Refresh | — | Auto/Self refresh |