K4B4G1646E-BYK0 vs K4B4G1646D-BYK0 مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ K4B4G1646E-BYK0 بواسطة Samsung Electronics و K4B4G1646D-BYK0 بواسطة Samsung Electronics. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | K4B4G1646E-BYK0 | K4B4G1646D-BYK0 |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| الفئة | Memory ICs | Memory ICs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| نوع الذاكرة | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Density | 4 Gb | 4 Gbit |
| التنظيم | 256M x 16 | 256M x 16 |
| جهد التغذية | 1.35 V (1.283 V to 1.45 V) | 1.35 V (1.5 V compatible) |
| معدل البيانات | DDR3-1600 (800 MHz) | 1600 Mbps (PC3-12800) |
| العلبة | 96-ball FBGA (13 x 9 mm, 0.8 mm pitch) | 96-ball FBGA |
| درجة حرارة التشغيل | 0°C to +95°C (TC) | 0°C to 85°C |
| زمن الوصول CAS | 11 (CL-tRCD-tRP) | Programmable (e.g., 11, 10, 9) |
| Burst Length | 8 (fixed), 4 (burst chop) | 8 (with burst chop 4) |
| On-Die Termination | Yes (dynamic ODT) | Yes |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Self-Refresh | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| Data Mask | Yes | — |
| RoHS | Compliant | — |
| Lead-Free | — | Yes |
| خالٍ من الهالوجين | — | Yes |
| RoHS Compliant | — | Yes |
| عدد الدبابيس | — | 96 |
| Die Revision | — | D-die |