K4RBH165VB-BCWM vs K4RBH165VB-BCQK مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ K4RBH165VB-BCWM بواسطة Samsung Electronics و K4RBH165VB-BCQK بواسطة Samsung Electronics. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

Samsung Electronics
K4RBH165VB-BCWM K4RBH165VB-BCWM - 16Gb DDR5 SDRAM 1.1V FBGA | Samsung

K4RBH165VB-BCWM - 16Gb DDR5 SDRAM 1.1V FBGA | Samsung

K4RBH165VB-BCWM ✓ نشط
Samsung Electronics
K4RBH165VB-BCQK K4RBH165VB-BCQK - DDR5 16Gb 4800Mbps DRAM | Samsung

K4RBH165VB-BCQK - DDR5 16Gb 4800Mbps DRAM | Samsung

K4RBH165VB-BCQK ✓ نشط

مقارنة المواصفات

المعامل K4RBH165VB-BCWM K4RBH165VB-BCQK
العلامة التجارية Samsung Electronics Samsung Electronics
الفئة Memory ICs Memory ICs
حالة دورة الحياة نشط نشط
نوع الذاكرة DDR5 SDRAM DDR5 SDRAM
Density 16 Gbit —
التنظيم 1G x 16 1G x 16
Supply Voltage (VDD) 1.1 V —
Data Rate Class DDR5 5600 Mbps (family per Octopart listing of sibling part) —
العلبة FBGA-106 —
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
درجة حرارة التشغيل 0C to +85C 0 C to +85 C
On-Die ECC Yes —
Write CRC Yes —
Write Leveling Yes Yes
Auto Self-Refresh Yes —
Asynchronous Reset Yes —
Operating Mode DLL Enabled —
حالة RoHS Compliant [DATA_NEEDED: RoHS status]
Lead Free Yes —
مستوى MSL [DATA_NEEDED: MSL Level] —
Refresh Rate [DATA_NEEDED: Refresh Rate] —
حجم الذاكرة — 16 Gb
معدل البيانات — 4800 Mbps/pin
Speed Grade — BCQK (4800 Mbps)
Self Refresh — Auto self-refresh
Reset Function — Asynchronous reset
Error Correction — On-chip (on-die) ECC
CRC Function — Yes
ZQ Calibration — Yes
جهد التغذية — [DATA_NEEDED: core supply voltage (VDD), nominally 1.1 V for DDR5]
Package Type — [DATA_NEEDED: exact package code, expected FBGA surface mount]
Burst Length — [DATA_NEEDED: burst length (BL16 per DDR5 standard)]

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر