K9ADGD8S0A vs K9PRGY8S7M-CCK0 مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ K9ADGD8S0A بواسطة Samsung Electronics و K9PRGY8S7M-CCK0 بواسطة Samsung Electronics. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
Samsung Electronics
K9ADGD8S0A - 3D V-NAND TCAT Flash Memory Die | Samsung
K9ADGD8S0A ✗ انتهى عمره الإنتاجيمقارنة المواصفات
| المعامل | K9ADGD8S0A | K9PRGY8S7M-CCK0 |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| الفئة | EEPROM | EEPROM |
| حالة دورة الحياة | نهاية العمر الإنتاجي | نشط |
| Device Type | 3D V-NAND flash memory bare die | — |
| Process Technology | Terabit Cell Array Transistor (TCAT) | — |
| Architecture | 3D vertical NAND (V-NAND) | — |
| Form Factor | Bare die (unpackaged) | — |
| Found In | Samsung K9HQGY8S5M-CCK0 and K9LPGY8S1M-CCK0 packages | — |
| Known Application | Samsung 850 Pro 128 GB SSD | — |
| Memory Class | Non-volatile NAND flash | — |
| Manufacturer | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Documented By | TechInsights report SAR-1407-802 | — |
| Capacity | [DATA_NEEDED: die capacity] | — |
| جهد التغذية | [DATA_NEEDED: supply voltage] | [DATA_NEEDED: supply voltage] |
| الواجهة | [DATA_NEEDED: interface type] | [DATA_NEEDED: interface type] |
| Page Size | [DATA_NEEDED: page size] | [DATA_NEEDED: page size] |
| Program/Erase Cycles | [DATA_NEEDED: endurance] | [DATA_NEEDED: P/E cycle endurance] |
| درجة حرارة التشغيل | [DATA_NEEDED: operating temperature] | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| العلبة | [DATA_NEEDED: package] | BGA (surface mount) |
| نوع الذاكرة | — | NAND Flash |
| نوع التركيب | — | Surface Mount |
| حالة RoHS | — | Lead free / RoHS compliant |
| Density | — | [DATA_NEEDED: density] |
| Memory Bus Width | — | [DATA_NEEDED: bus width] |
| Block Size | — | [DATA_NEEDED: block size] |
| مستوى MSL | — | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] |
| Package Ball Count | — | [DATA_NEEDED: BGA ball count] |