M25P16-VMN3PB vs M25P16-VMN6P مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ M25P16-VMN3PB بواسطة Micron Technology و M25P16-VMN6P بواسطة Micron Technology. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

Micron Technology
M25P16-VMN3PB M25P16-VMN3PB - 16Mb SPI NOR Flash 75MHz SOIC-8 | Micron

M25P16-VMN3PB - 16Mb SPI NOR Flash 75MHz SOIC-8 | Micron

M25P16-VMN3PB ✗ انتهى عمره الإنتاجي
Micron Technology
M25P16-VMN6P M25P16-VMN6P - 16Mb SPI NOR Flash 75MHz SOIC-8 | Micron

M25P16-VMN6P - 16Mb SPI NOR Flash 75MHz SOIC-8 | Micron

M25P16-VMN6P Obsolete

مقارنة المواصفات

المعامل M25P16-VMN3PB M25P16-VMN6P
العلامة التجارية Micron Technology Micron Technology
الفئة Memory ICs Memory ICs
حالة دورة الحياة نهاية العمر الإنتاجي Obsolete
نوع الذاكرة Serial NOR Flash, SLC NOR Flash
Memory Density 16 Mbit (16,777,216 bits) —
التنظيم 2 M x 8 (2,000,000 bytes x 8) —
الواجهة SPI SPI (Serial Peripheral Interface)
أقصى تردد للساعة 75 MHz 75 MHz
جهد التغذية 2.7 V to 3.6 V —
Write/Erase Endurance 100,000 cycles —
درجة حرارة التشغيل -40C to +125C -40 C to +85 C (industrial grade)
Temperature Grade Automotive —
العلبة 8-SO (SOIC, 208 mil SOP) 8-pin SOIC (SO8)
Number of Terminals 8 —
Maximum Seated Height 1.75 mm —
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
Product Longevity Program Yes —
Access Time 15 ns —
Write Protection Hardware (WP#) and software block protection —
حالة RoHS [DATA_NEEDED: RoHS status] Compliant
حجم الذاكرة — 16 Mbit (2 Mbit x 8)
Supply Voltage (VCC) — 2.7 V to 3.6 V
Page Size — 256 bytes
Sector Size — 64 KB (with 32 KB sub-sector option)
Program Time (per page) — 1.4 ms typical
Sector Erase Time — 0.65 s typical
Bulk Erase Time — 4 s typical
عدد الأطراف — 8
End-of-Life Status — EOL - last time buy announced by Micron; migrate to M25P16-VMN6PBA or successor families

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر