M25PX80-VMN3TPB vs M25P80-VMN3PB مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ M25PX80-VMN3TPB بواسطة Micron Technology و M25P80-VMN3PB بواسطة Micron Technology. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

Micron Technology
M25PX80-VMN3TPB M25PX80-VMN3TPB - 8Mb SPI NOR Flash 75MHz | Micron

M25PX80-VMN3TPB - 8Mb SPI NOR Flash 75MHz | Micron

M25PX80-VMN3TPB Obsolete
Micron Technology
M25P80-VMN3PB M25P80-VMN3PB - 8Mbit SPI NOR Flash 75MHz SOIC-8 | Micron

M25P80-VMN3PB - 8Mbit SPI NOR Flash 75MHz SOIC-8 | Micron

M25P80-VMN3PB ✗ انتهى عمره الإنتاجي

مقارنة المواصفات

المعامل M25PX80-VMN3TPB M25P80-VMN3PB
العلامة التجارية Micron Technology Micron Technology
الفئة Memory ICs EEPROM
حالة دورة الحياة Obsolete نهاية العمر الإنتاجي
نوع الذاكرة NOR Flash - Serial SPI FLASH - NOR Memory IC
حجم الذاكرة 8 Mbit (1 M x 8) 8 Mbit (1M x 8)
الواجهة SPI SPI
أقصى تردد للساعة 75 MHz 75 MHz
جهد التغذية 2.7 V to 3.6 V (3V/3.3V class) 2.7 V to 3.6 V
التنظيم 1 M x 8 1M x 8 bit
Read Bandwidth Feature Dual input/output commands (2x read/program bandwidth) —
Write Protection Advanced write protection mechanisms —
درجة حرارة التشغيل -40C to +85C (LCSC listing); automotive flow per Arrow listing [DATA_NEEDED: operating temperature range]
العلبة 8-SOIC (0.154 in, 3.90 mm width) 8-SO (SOIC-8)
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
Packaging Tape & Reel (TPB suffix) —
Qualification AEC-Q100 (per Arrow.com listing) —
Part Status Obsolete —
Family M25PX80 —
Access Time [DATA_NEEDED: access/clock-to-output time] 8 ns
Erase/Program Endurance [DATA_NEEDED: program/erase endurance cycles] —
Page Program Time — 0.64 ms typ (up to 256 bytes)
Erase Capability — Sector erase and bulk erase
Write Protect — Hardware write protect (W pin)
Hold Function — Yes (HOLD pin)
Program/Erase Endurance — [DATA_NEEDED: program/erase endurance cycles]
حالة RoHS — [DATA_NEEDED: RoHS status]

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر