M29F200FT55M3E2 vs M29F200FB55N3F2 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ M29F200FT55M3E2 بواسطة Micron Technology و M29F200FB55N3F2 بواسطة Micron Technology. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

Micron Technology
M29F200FT55M3E2 M29F200FT55M3E2 - 2Mbit 55ns 5V NOR Flash SOIC-44 | Micron

M29F200FT55M3E2 - 2Mbit 55ns 5V NOR Flash SOIC-44 | Micron

M29F200FT55M3E2 ✗ انتهى عمره الإنتاجي
Micron Technology
M29F200FB55N3F2 M29F200FB55N3F2 - 2Mbit 5V NOR Flash 55ns 48-TSOP | Micron

M29F200FB55N3F2 - 2Mbit 5V NOR Flash 55ns 48-TSOP | Micron

M29F200FB55N3F2 ✓ نشط

مقارنة المواصفات

المعامل M29F200FT55M3E2 M29F200FB55N3F2
العلامة التجارية Micron Technology Micron Technology
الفئة Memory ICs Memory ICs
حالة دورة الحياة نهاية العمر الإنتاجي نشط
نوع الذاكرة NOR Flash (Parallel) Parallel NOR Flash
حجم الذاكرة 2 Mbit (2097 kbits) —
التنظيم 128K x 16 bits 256K x 8 bit / 128K x 16 bit
Access Time 55 ns 55 ns
Supply Voltage (VCC) 5 V 5 V
الواجهة Parallel Parallel
Boot Block Architecture Top Boot Block Bottom Boot Block (FB)
Program / Erase Controller Embedded byte/word program algorithms —
درجة حرارة التشغيل -40C to +125C -40C to +125C
Package Type 44-SO (SOP-44) —
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
Memory Cell Type SLC (Single-Level Cell) —
Erase Block Structure Boot block sector architecture —
Programming Mode Byte / Word —
Status Signaling Data polling / toggle bit —
حالة RoHS unknown [DATA_NEEDED: RoHS compliance status]
حالة دورة الحياة End of Life (EOL) - last-time-buy / broker market —
Density — 2 Mbit (2097 kbits)
Number of Words — 128 K (x16 mode)
Bits per Word — 16 bits
Programming — Embedded byte/word program algorithm
Erase — Embedded block erase controller
العلبة — 48-TSOP I
Packaging — Tape & Reel (TR)
Endurance — [DATA_NEEDED: program/erase cycles]

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر