M29F800FB55M3F2 vs M29F200FT55M3F2 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ M29F800FB55M3F2 بواسطة Micron Technology و M29F200FT55M3F2 بواسطة Micron Technology. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

Micron Technology
M29F800FB55M3F2 M29F800FB55M3F2 - 8Mbit 5V 55ns NOR Flash SO44 | Micron

M29F800FB55M3F2 - 8Mbit 5V 55ns NOR Flash SO44 | Micron

M29F800FB55M3F2 ✓ نشط
Micron Technology
M29F200FT55M3F2 M29F200FT55M3F2 - 2Mbit 55ns 5V NOR Flash | Micron | Automotive

M29F200FT55M3F2 - 2Mbit 55ns 5V NOR Flash | Micron | Automotive

M29F200FT55M3F2 ✓ نشط

مقارنة المواصفات

المعامل M29F800FB55M3F2 M29F200FT55M3F2
العلامة التجارية Micron Technology Micron Technology
الفئة Memory ICs Memory ICs
حالة دورة الحياة نشط نشط
نوع الذاكرة NOR Flash, Parallel Parallel NOR Flash
Density 8389 kbits (8 Mbit) 2 Mbit (2097 kbits)
التنظيم 512K x 16-bit / 1M x 8-bit 256K x 8 / 128K x 16
Number of Words 512 k —
Bits per Word 16 bits —
Access Time 55 ns 55 ns
Supply Voltage (VCC) 5 V 5 V
Boot Block Type Bottom Boot Block —
الواجهة Parallel, Asynchronous —
Programming Embedded byte/word program algorithms —
OTP Area 64 byte —
درجة حرارة التشغيل -40C to +125C -40C to +125C
Automotive Qualification Auto Grade 3 (temperature grade 3, +125C) Yes
العلبة 44-pin SO (SOIC-44) 44-pin SO (TSOP)
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
Packing Tape & Reel (T/R) —
حالة RoHS [DATA_NEEDED: RoHS status] [DATA_NEEDED: RoHS status]
Endurance [DATA_NEEDED: program/erase endurance cycles] —
Boot Block Architecture — Top Boot Block
Programming Interface — Embedded program/erase controller, byte or word
Packaging — Tape & Reel (T/R)
Number of Words (x16 mode) — 128 K
Bits per Word (x16 mode) — 16 bits
Program/Erase Endurance — [DATA_NEEDED: program/erase cycles]

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر