M29W160FB70N3E vs M29W160ET70N3E مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ M29W160FB70N3E بواسطة Micron Technology و M29W160ET70N3E بواسطة Micron Technology. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
Micron Technology
M29W160ET70N3E - 16Mb 3V Parallel NOR Flash 70ns TSOP48 | Micron
M29W160ET70N3E ✓ نشطمقارنة المواصفات
| المعامل | M29W160FB70N3E | M29W160ET70N3E |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Micron Technology | Micron Technology |
| الفئة | Memory ICs | Memory ICs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| نوع الذاكرة | FLASH - NOR | NOR Flash (Parallel) |
| حجم الذاكرة | 16 Mbit (2M x8 / 1M x16) | 16 Mbit |
| Access Time | 70 ns | 70 ns |
| الواجهة | Parallel | Parallel |
| Supply Voltage (VCC) | 3.0 V to 3.6 V | — |
| Programming Voltage | Single supply (no separate VPP required) | — |
| Bus Configuration | x8 / x16 selectable (BYTE# pin) | — |
| Architecture | Boot block | — |
| العلبة / الحالة | 48-TFSOP (0.724 in, 18.40 mm width) | — |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| Packaging | Tray | — |
| درجة حرارة التشغيل | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Program/Erase Endurance | [DATA_NEEDED: program/erase cycles] | — |
| Data Retention | [DATA_NEEDED: data retention] | [DATA_NEEDED: data retention] |
| Status Output | Data polling / toggle bit | — |
| Block Protection | Yes (boot block protection) | — |
| التنظيم | — | 2M x 8 / 1M x 16 |
| جهد التغذية | — | 3 V / 3.3 V (nominal) |
| Boot Block Location | — | Top boot |
| العلبة | — | 48-TSOP |
| Automotive Qualification | — | AEC-Q100 qualified |
| Bus Width Selection | — | BYTE# pin, x8 or x16 |
| Sector Protection | — | Hardware boot block protection |
| Programming Type | — | Automatic program and erase |
| Packing | — | Tray (RoHS-compliant package, standard packing) |
| حالة RoHS | — | Compliant (E suffix) |
| Endurance | — | [DATA_NEEDED: program/erase cycles] |