M29W160FB70N3E vs M29W160ET70N3F مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ M29W160FB70N3E بواسطة Micron Technology و M29W160ET70N3F بواسطة Micron Technology. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

Micron Technology
M29W160FB70N3E M29W160FB70N3E - 16Mb 3V Parallel NOR Flash 70ns | Micron

M29W160FB70N3E - 16Mb 3V Parallel NOR Flash 70ns | Micron

M29W160FB70N3E ✓ نشط
Micron Technology
M29W160ET70N3F M29W160ET70N3F - 16Mb 70ns AEC-Q100 NOR Flash | Micron

M29W160ET70N3F - 16Mb 70ns AEC-Q100 NOR Flash | Micron

M29W160ET70N3F ✓ نشط

مقارنة المواصفات

المعامل M29W160FB70N3E M29W160ET70N3F
العلامة التجارية Micron Technology Micron Technology
الفئة Memory ICs Memory ICs
حالة دورة الحياة نشط نشط
نوع الذاكرة FLASH - NOR Parallel NOR Flash
حجم الذاكرة 16 Mbit (2M x8 / 1M x16) 16 Mbit (2 M x 8 / 1 M x 16)
Access Time 70 ns 70 ns
الواجهة Parallel —
Supply Voltage (VCC) 3.0 V to 3.6 V —
Programming Voltage Single supply (no separate VPP required) —
Bus Configuration x8 / x16 selectable (BYTE# pin) x8 / x16 selectable
Architecture Boot block —
العلبة / الحالة 48-TFSOP (0.724 in, 18.40 mm width) —
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
Packaging Tray Tape and Reel
درجة حرارة التشغيل [DATA_NEEDED: operating temperature range] —
Program/Erase Endurance [DATA_NEEDED: program/erase cycles] —
Data Retention [DATA_NEEDED: data retention] —
Status Output Data polling / toggle bit —
Block Protection Yes (boot block protection) —
جهد التغذية — 3 V / 3.3 V
Technology — CMOS
Boot Block Architecture — Top boot
العلبة — 48-pin TSOP
Temperature Grade — Automotive (AEC-Q100)
Qualification — AEC-Q100 qualified
حالة RoHS — RoHS-compliant package (F option)
Programming Interface — Parallel command set
Number of Terminals — 48

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر