M29W800FB70ZA3SF vs M29W800FT70ZA3SF مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ M29W800FB70ZA3SF بواسطة Micron Technology و M29W800FT70ZA3SF بواسطة Micron Technology. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

Micron Technology
M29W800FB70ZA3SF M29W800FB70ZA3SF - 8Mb 3V Parallel NOR Flash 70ns | Micron

M29W800FB70ZA3SF - 8Mb 3V Parallel NOR Flash 70ns | Micron

M29W800FB70ZA3SF ✓ نشط
Micron Technology
M29W800FT70ZA3SF M29W800FT70ZA3SF - 8Mbit NOR Flash 70ns TFBGA48 | Micron

M29W800FT70ZA3SF - 8Mbit NOR Flash 70ns TFBGA48 | Micron

M29W800FT70ZA3SF ✓ نشط

مقارنة المواصفات

المعامل M29W800FB70ZA3SF M29W800FT70ZA3SF
العلامة التجارية Micron Technology Micron Technology
الفئة Memory ICs Memory ICs
حالة دورة الحياة نشط نشط
Density 8 Mb (1 MB) 8 Mbit
Memory Organization 1M x 8 / 512K x 16 [DATA_NEEDED: memory organization x8/x16]
نوع الواجهة Parallel —
Access Time 70 ns 70 ns
Supply Voltage (VCC) 2.7 V to 3.6 V —
Boot Block Location Bottom boot (FB) —
العلبة 48-TFBGA (6x8) 48-TFBGA (6 x 8 mm)
Ball Pitch [DATA_NEEDED: ball pitch] 0.80 mm
درجة حرارة التشغيل -40C to +125C -40C to +125C
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
Byte/Word Organization Pin Yes (BYTE pin selects x8/x16) —
Programming Time [DATA_NEEDED: programming time] —
Data Retention [DATA_NEEDED: data retention] [DATA_NEEDED: data retention years]
Endurance [DATA_NEEDED: program/erase cycles] —
XIP Support Yes (parallel random-access, execute-in-place capable) —
حالة RoHS [DATA_NEEDED: RoHS status] [DATA_NEEDED: RoHS status]
Reel Option Available (M29W800FB70ZA3SF TR) —
نوع الذاكرة — NOR Flash
الواجهة — Parallel
جهد التغذية — 2.7 V to 3.6 V
Boot Block Configuration — Top boot block (FT)
Program/Erase Cycles — [DATA_NEEDED: endurance cycles]
Active Read Current — [DATA_NEEDED: active read current]
Standby Current — [DATA_NEEDED: standby current]
Package Body Size — 6 x 8 mm

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر