MC9S12GC32VFAE vs S9S12C32F1MFA2E557 مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ MC9S12GC32VFAE بواسطة NXP Semiconductors و S9S12C32F1MFA2E557 بواسطة NXP Semiconductors. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | MC9S12GC32VFAE | S9S12C32F1MFA2E557 |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | NXP Semiconductors | NXP Semiconductors |
| الفئة | Microcontrollers | Microcontrollers |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| Core | CPU12 (HCS12) | HCS12, 16-bit |
| Core Architecture | 16-bit | HCS12 C family |
| Series | HCS12 (Goldfish / MC9S12C) | — |
| Program Memory (Flash) | 32 KB (32K x 8) | — |
| RAM | 2 KB | — |
| EEPROM | 1 KB (byte-erasable) | — |
| Maximum CPU Frequency | 25 MHz | — |
| العلبة | 48-LQFP (7x7 mm) | — |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| درجة حرارة التشغيل | -40C to +105C (automotive) | -40C |
| ADC | 10-bit, 10 channels | — |
| CAN Module | MSCAN (CAN 2.0A/B), 8 channels | — |
| SCI / UART | 1 channel | — |
| SPI | 1 channel | — |
| Timers | 16-bit TIM/PWM module + 8-bit MOD timer | — |
| GPIO | Up to 35 (package dependent) | — |
| Debug Interface | BDM (Background Debug Mode) | — |
| Supply Voltage (VDD) | 2.35 V to 2.75 V | — |
| I/O Supply (VDDR) | 2.35 V to 5.5 V | — |
| مستوى MSL | 3 | — |
| حالة RoHS | Compliant | Compliant |
| أقصى تردد للساعة | — | 50 MHz |
| Program Memory Size | — | 32KB (32K x 8) FLASH |
| RAM Size | — | [DATA_NEEDED: RAM size] |
| EEPROM Size | — | [DATA_NEEDED: EEPROM size] |
| Number of I/Os | — | 31 |
| ADC Resolution | — | 10 bit |
| ADC Channels | — | 8 (8x10b SAR) |
| Communication Interfaces | — | CANbus, EBI/EMI, SCI, SPI |
| جهد التغذية | — | [DATA_NEEDED: supply voltage range] |
| العلبة / الحالة | — | 48-LQFP |
| Supplier Device Package | — | 48-LQFP (7x7) |
| Packaging | — | Bulk |
| Product Status | — | Active |
| Base Product Number | — | S9S12 |