MC9S12H128VFVE vs MC9S12DG128VFUE مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ MC9S12H128VFVE بواسطة NXP Semiconductors و MC9S12DG128VFUE بواسطة NXP Semiconductors. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

NXP Semiconductors
MC9S12DG128VFUE MC9S12DG128VFUE - 16-bit HCS12 MCU, 128KB Flash | NXP

MC9S12DG128VFUE - 16-bit HCS12 MCU, 128KB Flash | NXP

MC9S12DG128VFUE Nrnd

مقارنة المواصفات

المعامل MC9S12H128VFVE MC9S12DG128VFUE
العلامة التجارية NXP Semiconductors NXP Semiconductors
الفئة Microcontrollers Microcontrollers
حالة دورة الحياة NRND NRND
Core Processor HCS12 HCS12 (16-bit CISC)
Core Size 16-Bit 16-bit
CPU Speed 50 MHz (bus), 16 MHz core instruction rate —
Program Memory (Flash) 128 KB —
EEPROM 4 KB —
RAM 6 KB —
العلبة 144-LQFP (20x20 mm, 0.5 mm pitch) 80-QFP (14x14 mm), LQFP-80
Connectivity CAN 2.0A/B x2, SCI x2, SPI, IIC (I2C) CANbus, I2C, SCI, SPI
ADC 8-channel, 10-bit —
LCD Driver Integrated (segment LCD, up to 64 segments) —
Number of I/O 99 59
PWM Channels 8 (4x 8-bit or 2x 16-bit configurable) —
Operating Voltage 2.5 V to 5.5 V (typical 5 V) —
درجة حرارة التشغيل -40C to +105C [DATA_NEEDED: operating temperature range]
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
مستوى MSL 3 (168 hours) —
حالة RoHS Compliant [DATA_NEEDED: RoHS status]
Lead-Free Yes —
Background Debug Mode Yes (BDM) —
Maximum Clock Speed — 25 MHz
Program Memory Size — 128KB (128K x 8)
Program Memory Type — FLASH
RAM Size — 8K x 8
EEPROM Size — 2K x 8
Peripherals — PWM, WDT, LVD, POR
ADC Resolution — 10-bit
Number of ADC Channels — 16 (two 8-channel ADCs)
جهد التغذية — 2.35 V to 2.75 V (core); 5 V I/O per distributor data
عرض ناقل البيانات — 16 bit
Qualification — Automotive AEC-Q100 (per Arrow listing)
حالة دورة الحياة — NRND (Not Recommended for New Designs) per NXP

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر