MPVZ5010GW6U vs MPX5010GS مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ MPVZ5010GW6U بواسطة NXP Semiconductors و MPX5010GS بواسطة NXP Semiconductors. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | MPVZ5010GW6U | MPX5010GS |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | NXP Semiconductors | NXP Semiconductors |
| الفئة | Pressure Sensors | Pressure Sensors |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| Pressure Type | Vented Gauge | Vented Gauge |
| Operating Pressure Range | 0 kPa to 10 kPa (0 to 1.45 PSI) | 0 kPa to 10 kPa (0 to 1.45 PSI) |
| Maximum Overload Pressure | [DATA_NEEDED: maximum overload pressure] | — |
| جهد التغذية | 5 V typical | — |
| Supply Voltage Range | [DATA_NEEDED: supply voltage min/max] | — |
| نطاق جهد الخرج | 0.2 V to 4.7 V | 0.2 V to 4.7 V at 5 V supply |
| نوع الخرج | Analog, ratiometric | Analog, ratiometric |
| Accuracy | ±1.5% over 0°C to 85°C | +/-2.5% of full-scale span |
| Port Style | Top axial, 0.22" (5.59 mm) tube | — |
| درجة حرارة التشغيل | 0°C to +85°C | 0 C to +85 C (compensated) |
| العلبة | 8-SMD, Gull Wing, SOP-8 | 6-SIP Module, Case 867E-03 |
| نوع التركيب | Surface Mount | Through-hole, axial tube |
| حالة RoHS | Compliant | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Technology | Piezoresistive MEMS | — |
| Signal Conditioning | On-chip, calibrated and temperature compensated | — |
| Pressure Reference Side | Vented gauge (atmosphere) | — |
| Maximum Overpressure | — | [DATA_NEEDED: maximum overpressure rating] |
| جهد التغذية التشغيلي | — | 4.75 V to 5.25 V (5 V typical) |
| تيار التغذية | — | 5 mA typical |
| Response Time | — | 1.0 ms typical |
| Storage Temperature | — | -40 C to +125 C |
| Port Type | — | Male 0.19" (4.93 mm) tube, axial |
| Sensing Technology | — | Piezoresistive (silicon strain gauge) |