MPX2100DP vs MPX2100A مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ MPX2100DP بواسطة NXP Semiconductors و MPX2100A بواسطة NXP Semiconductors. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

NXP Semiconductors
MPX2100DP MPX2100DP - 100kPa Differential Pressure Sensor, 40mV | NXP

MPX2100DP - 100kPa Differential Pressure Sensor, 40mV | NXP

MPX2100DP ✓ نشط
NXP Semiconductors
MPX2100A MPX2100A - 100kPa Absolute Pressure Sensor, 40mV | NXP Semiconductors

MPX2100A - 100kPa Absolute Pressure Sensor, 40mV | NXP Semiconductors

MPX2100A ⚠ آخر فرصة للشراء

مقارنة المواصفات

المعامل MPX2100DP MPX2100A
العلامة التجارية NXP Semiconductors NXP Semiconductors
الفئة Pressure Sensors Pressure Sensors
حالة دورة الحياة نشط آخر فرصة للشراء
Pressure Type Differential Absolute
Operating Pressure Range 0 kPa to 100 kPa (0 to 14.5 psi) 0 kPa to 100 kPa (0 psi to 14.5 psi)
Maximum Overload Pressure [DATA_NEEDED: maximum overload pressure] —
Full-Scale Span (Typical) 40 mV (at 10 V excitation) —
Zero Pressure Offset [DATA_NEEDED: zero pressure offset] —
Linearity 1% typical ±0.25% (best-fit straight line)
جهد التغذية 10 V DC typical 10 V typical (recommended operating)
تيار التغذية [DATA_NEEDED: supply current] 6 mA typical
نوع الخرج Analog mV (Wheatstone Bridge) Analog Voltage (ratiometric)
درجة حرارة التشغيل 0C to +85C (compensated) -40°C to +125°C
Storage Temperature [DATA_NEEDED: storage temperature] —
Port Configuration Dual port, axial tube, 4.93 mm (0.19 in) Single axial port (Port 1)
العلبة / الحالة 4-SIP Module (Case 344C-01) —
نوع التركيب Through-Hole Through-Hole
Technology Silicon piezoresistive, on-chip temperature compensation —
حالة RoHS Compliant [DATA_NEEDED: RoHS compliance status]
مستوى MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] —
Maximum Overpressure — [DATA_NEEDED: maximum overpressure rating]
نطاق جهد الخرج — 0 mV to 40 mV (typical full-scale span)
Full-Scale Span — 40 mV (typical at 10 V supply)
Offset (Offset Null) — 0 mV nominal
Sensitivity — 0.4 mV/kPa (at 10 V supply)
Pressure Hysteresis — ±0.1% (full-scale span)
Temperature Hysteresis — ±1.0% (full-scale span)
Compensated Temperature — 0°C to +85°C
العلبة — 4-SIP Module (UNIBODY)
Sensing Technology — Silicon piezoresistive (MEMS)
Min. Package Quantity — 25
Min. Order Quantity — 125

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر