MPXHZ6115AC6U vs MPXHZ6115A6T1 مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ MPXHZ6115AC6U بواسطة NXP Semiconductors و MPXHZ6115A6T1 بواسطة NXP Semiconductors. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
NXP Semiconductors
MPXHZ6115A6T1 - 15-115 kPa Absolute Pressure Sensor | NXP | 8-SOIC
MPXHZ6115A6T1 ✓ نشطمقارنة المواصفات
| المعامل | MPXHZ6115AC6U | MPXHZ6115A6T1 |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | NXP Semiconductors | NXP Semiconductors |
| الفئة | Pressure Sensors | Pressure Sensors |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| نوع المستشعر | Absolute Pressure Sensor | — |
| Pressure Range | 15 kPa to 115 kPa (2.18 PSI to 16.68 PSI) | — |
| نوع الخرج | Analog Voltage | Analog Voltage |
| نطاق جهد الخرج | 0.2 V to 4.7 V (at VCC = 5 V) | 0.2 V to 4.7 V (at 5 V supply) |
| Supply Voltage (VCC) | 4.75 V to 5.25 V (5 V typical) | — |
| Sensitivity | 45.9 mV/kPa (typical) | — |
| Accuracy | ±1.5 % over -40 °C to +125 °C | ±1.5% (0 °C to 85 °C) |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | -40 °C to +125 °C | -40 °C to +125 °C |
| Compensated Temperature Range | 0 °C to +85 °C | — |
| Port Style | Top port, 3.3 mm (0.13 in) tube | No Port (media-resistant PPS surface mount) |
| العلبة | 8-SOIC (0.335 in / 8.50 mm width), top port | 8-SOIC (0.295", 7.50 mm Width), Surface Mount |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount (PPS thermoplastic) |
| Media Compatibility | Dry air, non-corrosive gases (PPS gel barrier) | Media-resistant PPS package; dry gas media recommended |
| On-chip Signal Conditioning | Yes (amplified, temperature-compensated, calibrated) | — |
| مستوى MSL | [DATA_NEEDED: MSL level] | — |
| حالة RoHS | Compliant | [DATA_NEEDED: RoHS compliance status] |
| Pressure Type | — | Absolute |
| Operating Pressure Range | — | 15 kPa to 115 kPa (2.18 PSI to 16.68 PSI) |
| Maximum Overpressure | — | 400 kPa (58.02 PSI) |
| جهد التغذية | — | 5 V (typical, [DATA_NEEDED: full min/max range]) |
| Temperature Compensation Range | — | -40 °C to +125 °C |
| Sensor Technology | — | MEMS silicon strain-gauge with bipolar op-amp signal conditioning |