MPXM2010D vs MPX2010D مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ MPXM2010D بواسطة NXP Semiconductors و MPX2010D بواسطة STMicroelectronics. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

NXP Semiconductors
MPXM2010D MPXM2010D - 10kPa Differential Pressure Sensor | NXP

MPXM2010D - 10kPa Differential Pressure Sensor | NXP

MPXM2010D ✓ نشط

مقارنة المواصفات

المعامل MPXM2010D MPX2010D
العلامة التجارية NXP Semiconductors STMicroelectronics
الفئة Pressure Sensors Pressure Sensors
حالة دورة الحياة نشط نشط
Pressure Type Differential Differential (Port 1 vs Port 2)
Operating Pressure 1.45 PSI (10 kPa) —
Accuracy ±1% —
نوع الخرج Wheatstone Bridge Analog Wheatstone Bridge (mV)
جهد الخرج 0 mV to 25 mV at 10 V supply —
جهد التغذية 10 V to 16 V —
درجة حرارة التشغيل -40 °C to +125 °C —
Temperature Compensation Range 0 °C to +85 °C —
العلبة / الحالة 5-SMD Module 4-SIP Module (Case 344-15)
نوع التركيب Surface Mount (PCB) Through-Hole
Termination Style PCB —
Family Name MPXM2010D (MPX2010 series) —
Technology Piezoresistive silicon, on-chip calibrated —
Port Configuration Dual vertical-port tubing (modular 'M') —
حالة RoHS [DATA_NEEDED: RoHS status] [DATA_NEEDED: RoHS status from ST datasheet]
Operating Pressure Range — 0 kPa to 10 kPa (0 PSI to 1.45 PSI)
Maximum Overpressure — [DATA_NEEDED: maximum overpressure rating]
Output Voltage Span — 0 mV to 25 mV at 10V excitation
Sensitivity — 2.5 mV/kPa (nominal, at 10V excitation)
Excitation Voltage — 10 V (typical), 16 V (maximum)
Linearity — 0.1% of full-scale (typical)
نطاق درجة حرارة التشغيل — 0 C to +85 C
Storage Temperature Range — [DATA_NEEDED: storage temperature range]
عدد الدبابيس — 4
On-Chip Temperature Compensation — Yes (laser trimmed)
Bridge Configuration — 4-arm piezoresistive Wheatstone
Sensor Family — MPX2010 / MPXV2010G / MPXM2010
Diaphragm Type — Single monolithic silicon

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر