MPXM2102GS vs MPXM2010GS مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ MPXM2102GS بواسطة NXP Semiconductors و MPXM2010GS بواسطة NXP Semiconductors. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | MPXM2102GS | MPXM2010GS |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | NXP Semiconductors | NXP Semiconductors |
| الفئة | Pressure Sensors | Pressure Sensors |
| حالة دورة الحياة | Obsolete | نشط |
| Pressure Type | Vented Gauge | Vented Gauge |
| Operating Pressure Range | 0 kPa to 100 kPa (0 to 14.5 PSI) | 0 kPa to 10 kPa (0 to 1.45 PSI) |
| جهد الخرج | 0 mV to 40 mV at 10 V excitation | — |
| جهد التغذية | 10 V typical (max 16 V) | — |
| Sensitivity | 0.4 mV/kPa nominal | 2.5 mV/kPa (nominal at 10 V) |
| Pressure Port | Top-mounted tube (0.12" / 2.97 mm) | — |
| Port Configuration | Single port, vented gauge | Top port, male 0.12" (2.97 mm) tube |
| Package Type | 5-SMD Module, M-PAC (MPAK-4) | — |
| درجة حرارة التشغيل | -40 C to +125 C | -40 °C to +125 °C |
| Technology | Piezoresistive silicon strain gauge | — |
| Temperature Compensation | On-chip (laser-trimmed) | On-chip (laser-trimmed thin-film) |
| Linearity | [DATA_NEEDED: linearity %FS] | [DATA_NEEDED: linearity %] |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| Diaphragm | Single monolithic silicon | — |
| Series | MPX2102 | — |
| حالة RoHS | unknown | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Maximum Overload Pressure | — | [DATA_NEEDED: max overload pressure] |
| نوع الخرج | — | Wheatstone Bridge (analog, differential mV) |
| Output Voltage Span | — | 0 mV to 25 mV at 10 V excitation |
| Excitation Voltage | — | 10 V (max 16 V per NXP datasheet) |
| تيار التغذية | — | 6 mA (typical at 10 V excitation) |
| Storage Temperature | — | [DATA_NEEDED: storage temperature] |
| العلبة | — | 5-SMD Module, top port |
| Packing | — | Reel-Reel 13" Q2 NDP |
| Min Package Quantity | — | 400 |
| Min Order Quantity | — | 400 |