MT25QU01GBBB8E12E-0AUT vs MT25QL01GBBB8E12-0AUT مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ MT25QU01GBBB8E12E-0AUT بواسطة Micron Technology و MT25QL01GBBB8E12-0AUT بواسطة Micron Technology. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

Micron Technology
MT25QU01GBBB8E12E-0AUT MT25QU01GBBB8E12E-0AUT - 1Gb SPI NOR Flash 133MHz | Micron

MT25QU01GBBB8E12E-0AUT - 1Gb SPI NOR Flash 133MHz | Micron

MT25QU01GBBB8E12E-0AUT ✓ نشط
Micron Technology
MT25QL01GBBB8E12-0AUT MT25QL01GBBB8E12-0AUT - 1Gb SPI NOR Flash 133MHz | Micron

MT25QL01GBBB8E12-0AUT - 1Gb SPI NOR Flash 133MHz | Micron

MT25QL01GBBB8E12-0AUT ✓ نشط

مقارنة المواصفات

المعامل MT25QU01GBBB8E12E-0AUT MT25QL01GBBB8E12-0AUT
العلامة التجارية Micron Technology Micron Technology
الفئة Memory ICs EEPROM
حالة دورة الحياة نشط نشط
نوع الذاكرة NOR Flash, Serial (SPI) NOR Flash - Serial SPI
Density 1 Gbit (128 MB) 1 Gbit (128 MB)
التنظيم 128M x 8 256M x4 (DDP)
جهد التغذية 1.8 V 2.7 V to 3.6 V (3 V class)
Max Clock Frequency 133 MHz 133 MHz
الواجهة SPI, Dual SPI, Quad SPI (x1/x2/x4) SPI - Single/Dual/Quad I/O
العلبة 24-ball T-PBGA (6 x 8 mm) 24-T-PBGA (6x8 mm)
FBGA Code RW320 RW319
درجة حرارة التشغيل -40C to +125C -40C to +125C
نوع التركيب Surface Mount (BGA) Surface Mount (BGA reflow)
Automotive Grade Yes (AUT suffix) —
Product Longevity Program No —
Marking Code RW320 —
Access Type Execute-in-place (XIP) capable —
Program/Erase Architecture Page program with 4 KB subsector / 64 KB sector erase —
حالة RoHS [DATA_NEEDED: RoHS status] Compliant
مستوى MSL [DATA_NEEDED: MSL level] —
Standby Current [DATA_NEEDED: standby current] —
Sector Erase Sizes — 4 KB / 32 KB / 64 KB
Addressing — 3-byte / 4-byte extended address
XIP Support — Yes (execute-in-place)
Write Protection — Advanced write protection mechanisms
AEC-Q100 — Qualified (automotive, -0AUT suffix)
SLC Cell Type — SLC NOR

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر