MT25QU02GCBB8E12-0AUT vs MT25QU01GBBB8E12E-0AUT مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ MT25QU02GCBB8E12-0AUT بواسطة Micron Technology و MT25QU01GBBB8E12E-0AUT بواسطة Micron Technology. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
Micron Technology
MT25QU02GCBB8E12-0AUT - 2Gbit SPI NOR Flash 166MHz | Micron
MT25QU02GCBB8E12-0AUT ✓ نشطMicron Technology
MT25QU01GBBB8E12E-0AUT - 1Gb SPI NOR Flash 133MHz | Micron
MT25QU01GBBB8E12E-0AUT ✓ نشطمقارنة المواصفات
| المعامل | MT25QU02GCBB8E12-0AUT | MT25QU01GBBB8E12E-0AUT |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Micron Technology | Micron Technology |
| الفئة | Memory ICs | Memory ICs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| نوع الذاكرة | NOR Flash, Serial (SPI / Dual SPI / Quad SPI) | NOR Flash, Serial (SPI) |
| Density | 2 Gbit (256 MB) | 1 Gbit (128 MB) |
| التنظيم | 2G x 1 / 1G x 2 / 512M x 4 | 128M x 8 |
| Max Clock Frequency | 166 MHz | 133 MHz |
| جهد التغذية | 1.8 V | 1.8 V |
| Access Time | 7 ns | — |
| الواجهة | SPI - Quad I/O | SPI, Dual SPI, Quad SPI (x1/x2/x4) |
| العلبة | 24-T-PBGA (6 x 8 mm) | 24-ball T-PBGA (6 x 8 mm) |
| نوع التركيب | Surface Mount (BGA) | Surface Mount (BGA) |
| درجة حرارة التشغيل | -40C to +125C | -40C to +125C |
| Automotive Qualification | AEC-Q100 qualified | — |
| XIP (Execute-In-Place) | Yes | — |
| Write Protection | Software, hardware, power-on, write-enable latch | — |
| Cell Type | SLC NOR | — |
| الميزات | Extended address access, advanced write protection | — |
| حالة RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS status] | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| مستوى MSL | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] | [DATA_NEEDED: MSL level] |
| FBGA Code | — | RW320 |
| Automotive Grade | — | Yes (AUT suffix) |
| Product Longevity Program | — | No |
| Marking Code | — | RW320 |
| Access Type | — | Execute-in-place (XIP) capable |
| Program/Erase Architecture | — | Page program with 4 KB subsector / 64 KB sector erase |
| Standby Current | — | [DATA_NEEDED: standby current] |