MT40A512M16LY-062E AAT:E vs MT40A256M16LY-062E مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ MT40A512M16LY-062E AAT:E بواسطة Micron Technology و MT40A256M16LY-062E بواسطة Micron Technology. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

Micron Technology
MT40A512M16LY-062E AAT:E MT40A512M16LY-062E AAT:E - 8Gbit DDR4 SDRAM 1.6GHz | Micron

MT40A512M16LY-062E AAT:E - 8Gbit DDR4 SDRAM 1.6GHz | Micron

MT40A512M16LY-062E AAT:E ✓ نشط
Micron Technology
MT40A256M16LY-062E MT40A256M16LY-062E - 4Gb DDR4 SDRAM x16 | Micron

MT40A256M16LY-062E - 4Gb DDR4 SDRAM x16 | Micron

MT40A256M16LY-062E ✓ نشط

مقارنة المواصفات

المعامل MT40A512M16LY-062E AAT:E MT40A256M16LY-062E
العلامة التجارية Micron Technology Micron Technology
الفئة Memory ICs Memory ICs
حالة دورة الحياة نشط نشط
نوع الذاكرة DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
حجم الذاكرة 8 Gbit (1 GB) 4 Gbit
Memory Organization 512M x 16 —
الواجهة Parallel Parallel
Clock Frequency 1.6 GHz 1.6 GHz
Access Time 19 ns —
جهد التغذية 1.2 V —
Speed Grade 062E —
العلبة 96-FBGA (7.5 x 13.5 mm) 96-FBGA (7.5 x 13.5 mm)
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
درجة حرارة التشغيل [DATA_NEEDED: operating temperature range] —
Package Height [DATA_NEEDED: package max height] —
MSL Rating [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] —
Ordering Code Suffix AAT:E (temperature/package option per Micron code) —
حالة RoHS Compliant Compliant (F = RoHS/lead-free finish)
Moisture Packaging [DATA_NEEDED: packing type for AAT:E suffix] —
Data Rate Class DDR4-3200 (062E speed bin) DDR4-2666 (062E speed grade)
التنظيم — 256M x16
Access Time (tAA) — 19 ns
Supply Voltage (VDD) — 1.2 V
Operating Temperature (IT variant) — -40C to +95C
Auto Self-Refresh — Yes
Auto Precharge — Yes
Write Leveling — Yes
CRC (Command/Address) — Yes
Data Mask (DM) — Yes
Dynamic On-Chip Termination (ODT) — Yes
ZQ Calibration — Yes
FBGA Code — D9XSG (AUT variant)

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر