MT53E1G32D2FW-046 AUT:B vs MT53E2G32D4DE-046 AUT:C مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ MT53E1G32D2FW-046 AUT:B بواسطة Micron Technology و MT53E2G32D4DE-046 AUT:C بواسطة Micron Technology. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

Micron Technology
MT53E1G32D2FW-046 AUT:B MT53E1G32D2FW-046 AUT:B - 32Gbit LPDDR4X DRAM | Micron

MT53E1G32D2FW-046 AUT:B - 32Gbit LPDDR4X DRAM | Micron

MT53E1G32D2FW-046 AUT:B ✓ نشط
Micron Technology
MT53E2G32D4DE-046 AUT:C MT53E2G32D4DE-046 AUT:C - 64Gbit LPDDR4X DRAM | Micron

MT53E2G32D4DE-046 AUT:C - 64Gbit LPDDR4X DRAM | Micron

MT53E2G32D4DE-046 AUT:C ✓ نشط

مقارنة المواصفات

المعامل MT53E1G32D2FW-046 AUT:B MT53E2G32D4DE-046 AUT:C
العلامة التجارية Micron Technology Micron Technology
الفئة Memory ICs Memory ICs
حالة دورة الحياة نشط نشط
نوع الذاكرة SDRAM - Mobile LPDDR4X SDRAM - Mobile LPDDR4X
حجم الذاكرة 32 Gbit (4 GB) 64 Gbit
التنظيم x32 Parallel 2G x 32
Clock Frequency 2.133 GHz 2.133 GHz
Access Time / Clock Cycle 3.5 ns —
الواجهة Parallel Parallel
العلبة 200-TFBGA (10 mm x 14.5 mm) 200-TFBGA (10 x 14.5 mm)
درجة حرارة التشغيل -40C to +125C [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Temperature Grade Automotive (AUT) —
Self-Refresh Auto self-refresh —
Built-in Temperature Sensor Yes —
Auto Precharge Yes —
Write Leveling Yes —
ZQ Calibration Yes —
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
VDDQ Supply Voltage [DATA_NEEDED: VDDQ supply voltage] —
VDD Supply Voltage [DATA_NEEDED: VDD supply voltage] —
مستوى MSL [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] —
حالة RoHS [DATA_NEEDED: RoHS status] Compliant
AEC-Q100 Qualification [DATA_NEEDED: AEC-Q100 qualification] —
Access Time — 3.5 ns
Bus Width — 32 bit
Grade — Automotive (AUT)
Die Revision — C
Supply Voltage VDD — [DATA_NEEDED: VDD voltage]
Supply Voltage VDDQ — [DATA_NEEDED: VDDQ voltage]
Standby Current — [DATA_NEEDED: standby current]
Packaging — [DATA_NEEDED: tray/reel quantity]

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر