MT53E256M32D2DS-046 vs MT53E384M32D2DS-046 مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ MT53E256M32D2DS-046 بواسطة Micron Technology و MT53E384M32D2DS-046 بواسطة Micron Technology. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
Micron Technology
MT53E256M32D2DS-046 - 8Gb LPDDR4 SDRAM | Micron Technology
MT53E256M32D2DS-046 ✓ نشطMicron Technology
MT53E384M32D2DS-046 - 12Gb LPDDR4 SDRAM 2.133GHz | Micron
MT53E384M32D2DS-046 ✓ نشطمقارنة المواصفات
| المعامل | MT53E256M32D2DS-046 | MT53E384M32D2DS-046 |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Micron Technology | Micron Technology |
| الفئة | Memory ICs | Memory ICs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| نوع الذاكرة | LPDDR4 SDRAM (Mobile DRAM) | LPDDR4 SDRAM (Mobile DRAM) |
| Density | 8 Gbit | 12 Gbit |
| التنظيم | 256M x 32 | — |
| Clock Frequency | 2133 MHz | 2.133 GHz |
| معدل البيانات | [DATA_NEEDED: data rate] | [DATA_NEEDED: exact MT/s data rate] |
| Core Supply Voltage (VDD) | 1.1 V | — |
| Interface Supply Voltage (VDDQ) | [DATA_NEEDED: VDDQ voltage] | — |
| العلبة | 200-WFBGA (10 x 14.5 mm) | 200-WFBGA (10 x 14.5 mm) |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| Operating Temperature (IT grade) | [DATA_NEEDED: IT temperature range] | — |
| Speed Grade | -046 | -046 (4266 MT/s class) |
| Product Generation | MT53E (LPDDR4/LPDDR4X unified die, supports 0.6V VDDQ LPDDR4X operation) | — |
| حالة RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS status] | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Automotive Qualification (AUT grade variant) | AEC-Q100 qualified (AUT:B variant) | — |
| Packaging (TR suffix) | Tape & Reel (TR) or Tray | — |
| Memory Organization | — | 384M x 32 |
| جهد التغذية | — | 1.1 V |
| Die Configuration | — | DDP (Double Die Package) |
| Qualification | — | AEC-Q100, automotive grade (AUT suffix) |
| Die Revision | — | :E |
| Access Type | — | Parallel |
| Memory Category | — | Volatile DRAM |
| درجة حرارة التشغيل | — | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |