MT53E2G32D4DE-046 AUT:C vs MT53E1G32D2FW-046 AUT:B مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ MT53E2G32D4DE-046 AUT:C بواسطة Micron Technology و MT53E1G32D2FW-046 AUT:B بواسطة Micron Technology. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

Micron Technology
MT53E2G32D4DE-046 AUT:C MT53E2G32D4DE-046 AUT:C - 64Gbit LPDDR4X DRAM | Micron

MT53E2G32D4DE-046 AUT:C - 64Gbit LPDDR4X DRAM | Micron

MT53E2G32D4DE-046 AUT:C ✓ نشط
Micron Technology
MT53E1G32D2FW-046 AUT:B MT53E1G32D2FW-046 AUT:B - 32Gbit LPDDR4X DRAM | Micron

MT53E1G32D2FW-046 AUT:B - 32Gbit LPDDR4X DRAM | Micron

MT53E1G32D2FW-046 AUT:B ✓ نشط

مقارنة المواصفات

المعامل MT53E2G32D4DE-046 AUT:C MT53E1G32D2FW-046 AUT:B
العلامة التجارية Micron Technology Micron Technology
الفئة Memory ICs Memory ICs
حالة دورة الحياة نشط نشط
نوع الذاكرة SDRAM - Mobile LPDDR4X SDRAM - Mobile LPDDR4X
حجم الذاكرة 64 Gbit 32 Gbit (4 GB)
التنظيم 2G x 32 x32 Parallel
الواجهة Parallel Parallel
Clock Frequency 2.133 GHz 2.133 GHz
Access Time 3.5 ns —
العلبة 200-TFBGA (10 x 14.5 mm) 200-TFBGA (10 mm x 14.5 mm)
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
Bus Width 32 bit —
Grade Automotive (AUT) —
Die Revision C —
Supply Voltage VDD [DATA_NEEDED: VDD voltage] —
Supply Voltage VDDQ [DATA_NEEDED: VDDQ voltage] —
درجة حرارة التشغيل [DATA_NEEDED: operating temperature range] -40C to +125C
Standby Current [DATA_NEEDED: standby current] —
Packaging [DATA_NEEDED: tray/reel quantity] —
حالة RoHS Compliant [DATA_NEEDED: RoHS status]
Access Time / Clock Cycle — 3.5 ns
Temperature Grade — Automotive (AUT)
Self-Refresh — Auto self-refresh
Built-in Temperature Sensor — Yes
Auto Precharge — Yes
Write Leveling — Yes
ZQ Calibration — Yes
VDDQ Supply Voltage — [DATA_NEEDED: VDDQ supply voltage]
VDD Supply Voltage — [DATA_NEEDED: VDD supply voltage]
مستوى MSL — [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level]
AEC-Q100 Qualification — [DATA_NEEDED: AEC-Q100 qualification]

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر