N25Q032A13EF4A0F vs N25Q064A11ESEA0F مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ N25Q032A13EF4A0F بواسطة Micron Technology و N25Q064A11ESEA0F بواسطة Micron Technology. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | N25Q032A13EF4A0F | N25Q064A11ESEA0F |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Micron Technology | Micron Technology |
| الفئة | Memory ICs | Memory ICs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| نوع الذاكرة | FLASH - NOR Memory IC (Serial) | Flash - NOR Memory |
| حجم الذاكرة | 32 Mbit (4 MB) | 64 Mbit |
| الواجهة | SPI (Multi-I/O) | SPI, Dual SPI, Quad SPI |
| Clock Frequency | 108 MHz | — |
| جهد التغذية | 3 V (2.7 V to 3.6 V) | — |
| العلبة | 8-UFDFPN (MLP8) 4 x 3 mm | 8-Pin SOIC Wide (SOIC W) |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| Read Modes | Standard, Dual, Quad SPI | — |
| Erase Granularity | 4 KB subsector / 64 KB sector | — |
| Grade | Automotive | — |
| Write Cycle Endurance | [DATA_NEEDED: endurance cycles] | — |
| Data Retention | [DATA_NEEDED: retention years] | [DATA_NEEDED: retention years] |
| درجة حرارة التشغيل | [DATA_NEEDED: temperature range] | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Access Time | [DATA_NEEDED: access time] | 8 ns |
| Program/Erase Speed | [DATA_NEEDED: page program time] | — |
| حالة RoHS | Compliant | — |
| Packaging | Tape & Reel (T&R) | Tape & Reel (T/R) |
| التنظيم | — | 64M x 1-bit / 32M x 2-bit / 16M x 4-bit |
| Supply Voltage (VCC) | — | 1.8 V |
| أقصى تردد للساعة | — | 108 MHz |
| Technology | — | 65 nm NOR |
| Qualification | — | Automotive, AEC-Q100 |
| Program/Erase Cycles | — | [DATA_NEEDED: endurance cycles] |
| مستوى MSL | — | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] |