N25Q064A11ESEA0F vs N25Q032A11ESEA0F مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ N25Q064A11ESEA0F بواسطة Micron Technology و N25Q032A11ESEA0F بواسطة Micron Technology. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

Micron Technology
N25Q064A11ESEA0F N25Q064A11ESEA0F - 64Mb SPI NOR Flash 1.8V 108MHz | Micron

N25Q064A11ESEA0F - 64Mb SPI NOR Flash 1.8V 108MHz | Micron

N25Q064A11ESEA0F ✓ نشط
Micron Technology
N25Q032A11ESEA0F N25Q032A11ESEA0F - 32Mb 1.8V SPI NOR Flash | Micron

N25Q032A11ESEA0F - 32Mb 1.8V SPI NOR Flash | Micron

N25Q032A11ESEA0F ✓ نشط

مقارنة المواصفات

المعامل N25Q064A11ESEA0F N25Q032A11ESEA0F
العلامة التجارية Micron Technology Micron Technology
الفئة Memory ICs Memory ICs
حالة دورة الحياة نشط نشط
نوع الذاكرة Flash - NOR Memory NOR Flash, Serial SPI
حجم الذاكرة 64 Mbit —
التنظيم 64M x 1-bit / 32M x 2-bit / 16M x 4-bit 32M x 1 / 16M x 2 / 8M x 4 bit
الواجهة SPI, Dual SPI, Quad SPI SPI, Dual SPI, Quad SPI (Multiple I/O)
Supply Voltage (VCC) 1.8 V —
أقصى تردد للساعة 108 MHz —
Access Time 8 ns 7 ns
Technology 65 nm NOR —
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
العلبة 8-Pin SOIC Wide (SOIC W) 8-SOP2 (SOP-II, 208 mil)
Packaging Tape & Reel (T/R) Tape & Reel
Qualification Automotive, AEC-Q100 —
درجة حرارة التشغيل [DATA_NEEDED: operating temperature range] -40C to +85C
Program/Erase Cycles [DATA_NEEDED: endurance cycles] —
Data Retention [DATA_NEEDED: retention years] —
مستوى MSL [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] —
Density — 32 Mb (4 MB)
جهد التغذية — 1.7 V to 2.0 V (1.8 V nominal)
Max Clock Frequency — 108 MHz
Sector Erase Size — 4 KB
عدد الدبابيس — 8
Storage Temperature — -65C to +150C
حالة RoHS — Compliant
Protocol Support — Standard, Dual Output, Quad Output SPI

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر