N25Q256A13E12A0F vs N25Q032A13EF4A0F مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ N25Q256A13E12A0F بواسطة Micron Technology و N25Q032A13EF4A0F بواسطة Micron Technology. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | N25Q256A13E12A0F | N25Q032A13EF4A0F |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Micron Technology | Micron Technology |
| الفئة | Memory ICs | Memory ICs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| نوع الذاكرة | NOR Flash, Serial SPI | FLASH - NOR Memory IC (Serial) |
| Density | 256 Mbit (32 MB) | — |
| التنظيم | 64M x 4 (Mouser listing); 32M x 8 per FindIC listing - see validation note | — |
| جهد التغذية | 2.7 V to 3.6 V | 3 V (2.7 V to 3.6 V) |
| Max SPI Clock Frequency | 108 MHz | — |
| I/O Modes | Single, Dual, Quad I/O (Multiple I/O Serial Flash) | — |
| Technology | SLC (Single-Level Cell) | — |
| Sector Erase Size | 4 KB | — |
| العلبة | 24-ball T-PBGA (6x8 mm) | 8-UFDFPN (MLP8) 4 x 3 mm |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| درجة حرارة التشغيل | -40C to +125C | [DATA_NEEDED: temperature range] |
| Access Time | 8 ns (per FindIC listing) | [DATA_NEEDED: access time] |
| حالة RoHS | Compliant | Compliant |
| Packaging | Tape & Reel (TR suffix) | Tape & Reel (T&R) |
| Program/Erase Endurance | [DATA_NEEDED: program/erase endurance cycles] | — |
| Data Retention | [DATA_NEEDED: data retention years] | [DATA_NEEDED: retention years] |
| Active Read Current | [DATA_NEEDED: ICC read current] | — |
| Standby Current | [DATA_NEEDED: ICC standby current] | — |
| حجم الذاكرة | — | 32 Mbit (4 MB) |
| الواجهة | — | SPI (Multi-I/O) |
| Clock Frequency | — | 108 MHz |
| Read Modes | — | Standard, Dual, Quad SPI |
| Erase Granularity | — | 4 KB subsector / 64 KB sector |
| Grade | — | Automotive |
| Write Cycle Endurance | — | [DATA_NEEDED: endurance cycles] |
| Program/Erase Speed | — | [DATA_NEEDED: page program time] |