RTAX2000DL-1CQ352B vs RTAX2000DL-CQ352V مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ RTAX2000DL-1CQ352B بواسطة Microchip Technology و RTAX2000DL-CQ352V بواسطة Microchip Technology. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
Microchip Technology
RTAX2000DL-1CQ352B - 2M-Gate Rad-Tolerant FPGA, CQFP-352 | Microchip
RTAX2000DL-1CQ352B ✓ نشطMicrochip Technology
RTAX2000DL-CQ352V - 2M-Gate Rad-Tolerant FPGA | Microchip
RTAX2000DL-CQ352V ✓ نشطمقارنة المواصفات
| المعامل | RTAX2000DL-1CQ352B | RTAX2000DL-CQ352V |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Microchip Technology | Microchip Technology |
| الفئة | FPGA & CPLD | FPGA & CPLD |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| Equivalent System Gates | 2000000 | 2,000,000 |
| Logic Cells | 29568 | 29,568 |
| Configurable Logic Blocks (CLBs) | 19712 | — |
| Core Supply Voltage (Nominal) | 1.5 V | — |
| Core Supply Voltage Range | 1.425 V to 1.575 V | — |
| Maximum Combinatorial Delay | 0.930 ns | 1.100 ns |
| DSP Mathblocks (max) | 120 | — |
| DSP MAC Performance | 125 MHz, 18-bit x 18-bit multiply-accumulate | — |
| Embedded Memory | 540 kbits (with optional EDAC protection) | Up to 540 kbits SRAM with optional EDAC |
| Technology | CMOS, antifuse (OTP, nonvolatile) | CMOS, antifuse (nonvolatile, one-time programmable) |
| Total Ionizing Dose (Functional) | 300 krad (Si) | — |
| Total Ionizing Dose (Parametric) | 200 krad (Si) | — |
| العلبة | CQFP-352 (ceramic quad flat pack) | CQFP-352, hermetically sealed ceramic, metal-sealed cofired |
| Terminal Count | 352 | — |
| Input / Output Terminals | 166 input, 166 output | — |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| Radiation Tolerance Class | Radiation-tolerant (space-flight) | — |
| Configuration | Live at power-up (antifuse, single chip) | Live-at-power-up (antifuse, no external boot device) |
| CLBs | — | 19,712 |
| Core Supply Voltage | — | 1.5 V nominal (1.425 V to 1.575 V) |
| DSP Mathblocks | — | Up to 120 (18-bit x 18-bit MAC, up to 125 MHz) |
| Total Ionizing Dose (TID) | — | 300 krad (functional); 200 krad (per family data) |
| Terminal Pitch | — | 0.500 mm |
| درجة حرارة التشغيل | — | -55C to +125C |
| Family | — | RTAX-DSP (RTAX-S/SL and RTAX-DSP radiation-tolerant FPGAs) |