TLE75004EPDXUMA1 vs TLE75080ESHXUMA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ TLE75004EPDXUMA1 بواسطة Infineon و TLE75080ESHXUMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل TLE75004EPDXUMA1 TLE75080ESHXUMA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
حالة دورة الحياة نشط نشط
Product Type Low-side power switch —
Number of Channels 4 8
On-State Resistance (Rdson) per Channel [DATA_NEEDED: Rdson per channel] —
Continuous Drain Current per Channel 470 mA —
Load Voltage (Vbb) [DATA_NEEDED: Vbb max] —
عدد المخارج 4 —
Input Type SPI (16-bit) + parallel input pins —
SPI Clock Frequency up to 5 MHz —
نطاق درجة حرارة التشغيل -40 °C to +150 °C —
العلبة PG-TSDSO-14-41 (exposed pad) PG-TSDSO-24-21 (TSDSO-24, exposed thermal pad)
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
مستوى MSL 2A —
Terminal Finish Tin (Sn) —
JEDEC / JESD-609 e3 —
Qualification AEC-Q100 —
Special Features 3 V cranking, Limp Home (fail-safe) mode, open-load detection —
الوظيفة — 8-channel high-side power switch with 16-bit SPI
Channel Current (continuous) — 330 mA per channel
البنية الطوبولوجية — High-side, N-channel MOSFET with charge pump
الواجهة — 16-bit SPI, plus parallel input
PWM Capability — Integrated PWM generators per channel
Nominal Supply Voltage (VBAT) — 12 V (automotive)
Operating Voltage Range — [DATA_NEEDED: VS/VBAT range]
Limp Home Mode — Yes (predefined safe pattern on SPI loss)
Per-channel Diagnostics — Open load, short to GND, short to VBAT, overtemperature
Fault Behavior — Selectable latching or auto-restart
درجة حرارة التشغيل — -40 C to +150 C (junction, AEC-Q100)
Automotive Qualification — AEC-Q100
حالة RoHS — Compliant
Technology Family — Infineon SPIDER (Smart Power)

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر