TLP182(GR-TPL vs TLP183(GR) مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ TLP182(GR-TPL بواسطة Toshiba و TLP183(GR) بواسطة Toshiba. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل TLP182(GR-TPL TLP183(GR)
العلامة التجارية Toshiba Toshiba
الفئة Optocouplers Optocouplers
حالة دورة الحياة نشط نشط
Product Type Phototransistor Output Optocoupler —
Input Configuration AC (two antiparallel InGaAs IR LEDs) —
تكوين الخرج Single NPN Phototransistor, 1 Channel —
Isolation Voltage 3750 Vrms 3750 Vrms (minimum)
جهد المجمع-الباعث (Vceo) 80 V (min) 80 V minimum
CTR Rank (GR) 100% to 300% (IF = 5 mA, VCE = 5 V) —
CTR Min (low current) 50% (IF = +/-0.5 mA, VCE = 5 V) —
نطاق درجة حرارة التشغيل -55C to +125C —
العلبة 6-SO (4-lead SO6), surface mount SO6 (4-pin surface mount)
عدد الدبابيس 6 (4 functional leads) —
Tape and Reel Orientation L-direction (TPL) —
RoHS Compliance Yes (E suffix) —
مستوى MSL 1 (Unlimited) [DATA_NEEDED: MSL rating]
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
Input LED Material InGaAs infrared —
نوع الخرج — Phototransistor (DC input, transistor output)
Number of Channels — 1
Current Transfer Ratio (CTR) — 50% minimum @ IF=0.5 mA, VCE=5 V (GR bin: 100-300% @ IF=5 mA)
Emitter-Collector Voltage (VECO) — 6 V minimum
Collector Current — 50 mA maximum
Forward Current (IF) — 50 mA maximum
Forward Voltage (VF) — [DATA_NEEDED: typical VF @ IF=10 mA]
Switching Time (tR, tF) — 2 us typical
درجة حرارة التشغيل — -55C to +125C
حالة RoHS — Compliant
CTR Bin — GR

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر