TLP182(GR-TPL vs TLP183(GB-TPL مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ TLP182(GR-TPL بواسطة Toshiba و TLP183(GB-TPL بواسطة Toshiba. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل TLP182(GR-TPL TLP183(GB-TPL
العلامة التجارية Toshiba Toshiba
الفئة Optocouplers Optocouplers
حالة دورة الحياة نشط نشط
Product Type Phototransistor Output Optocoupler Phototransistor Output Optocoupler
Input Configuration AC (two antiparallel InGaAs IR LEDs) —
تكوين الخرج Single NPN Phototransistor, 1 Channel —
Isolation Voltage 3750 Vrms 3750 Vrms
جهد المجمع-الباعث (Vceo) 80 V (min) 80 V max
CTR Rank (GR) 100% to 300% (IF = 5 mA, VCE = 5 V) —
CTR Min (low current) 50% (IF = +/-0.5 mA, VCE = 5 V) —
نطاق درجة حرارة التشغيل -55C to +125C —
العلبة 6-SO (4-lead SO6), surface mount 6-SO (SO6, 4-pin functional)
عدد الدبابيس 6 (4 functional leads) —
Tape and Reel Orientation L-direction (TPL) —
RoHS Compliance Yes (E suffix) —
مستوى MSL 1 (Unlimited) —
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
Input LED Material InGaAs infrared —
Manufacturer — Toshiba Semiconductor and Storage
Number of Channels — 1
Input Type — DC (InGaAs Infrared LED)
نوع الخرج — Phototransistor (BJT)
Forward Current (IF) — 50 mA max
Reverse Voltage (VR) — 6 V max
Forward Voltage (VF) — 1.25 V typ at IF=10 mA
Emitter-Collector Voltage (VECO) — 7 V max
تيار المجمّع (Ic) — 50 mA max
CTR (Current Transfer Ratio) — 50% min (IF=5 mA, VCE=5 V) - GB rank
درجة حرارة التشغيل — -55 C to +125 C
Storage Temperature — -55 C to +150 C
CTR Rank — GB (50-600% range)
Rise Time (tr) — 5 us typ
Fall Time (tf) — 5 us typ
حالة RoHS — Compliant
Tape and Reel Packaging — TPL (L direction, 3000 pcs/reel)
Packing Option Code — E (RoHS)

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر