TLP182GB-TPL.E(T vs TLP183(GR) مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ TLP182GB-TPL.E(T بواسطة Toshiba و TLP183(GR) بواسطة Toshiba. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل TLP182GB-TPL.E(T TLP183(GR)
العلامة التجارية Toshiba Toshiba
الفئة Optocouplers Optocouplers
حالة دورة الحياة نشط نشط
Part Number TLP182GB-TPL.E(T —
العلبة 4-Lead SO6 (SMD) SO6 (4-pin surface mount)
Isolation Voltage 3750 Vrms 3750 Vrms (minimum)
Input Type AC (dual antiparallel LEDs) —
نوع الخرج Phototransistor (NPN) Phototransistor (DC input, transistor output)
Number of Channels 1 1
جهد المجمع-الباعث (Vceo) 80 V 80 V minimum
تيار المجمّع (Ic) 50 mA —
Current Transfer Ratio (CTR) 50% min @ IF=5 mA, VCE=5 V 50% minimum @ IF=0.5 mA, VCE=5 V (GR bin: 100-300% @ IF=5 mA)
Collector-Emitter Saturation Voltage (VCEsat) 300 mV @ IC=2.4 mA, IF=8 mA —
Turn-On Time (ton) 2 us —
Turn-Off Time (toff) 3 us —
نطاق درجة حرارة التشغيل -55 degC to +125 degC —
Input Forward Current (IF) 50 mA max —
Input Reverse Voltage (VR) 5 V —
Power Dissipation (PC) 200 mW —
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
حالة RoHS Compliant Compliant
Emitter-Collector Voltage (VECO) — 6 V minimum
Collector Current — 50 mA maximum
Forward Current (IF) — 50 mA maximum
Forward Voltage (VF) — [DATA_NEEDED: typical VF @ IF=10 mA]
Switching Time (tR, tF) — 2 us typical
درجة حرارة التشغيل — -55C to +125C
مستوى MSL — [DATA_NEEDED: MSL rating]
CTR Bin — GR

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر